[发明专利]隆起源极/漏极MOS晶体管及借助植入间隔件及外延间隔件形成所述晶体管的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

半导体区，其具有导电类型；

源极，其具有与所述半导体区的所述导电类型相反的导电类型，且包含触及所述半导体区的轻掺杂源极区、触及所述轻掺杂源极区的重掺杂源极区及触及所述重掺杂源极区的隆起源极区，所述重掺杂源极区具有宽度，所述隆起源极区具有宽度，所述隆起源极区的所述宽度大于所述重掺杂源极区的所述宽度；

漏极，其具有与所述半导体区的所述导电类型相反的导电类型，且包含触及所述半导体区的轻掺杂漏极区、触及所述轻掺杂漏极区的重掺杂漏极区及触及所述重掺杂漏极区的隆起漏极区；

所述半导体区的沟道区，其横向位于所述源极与所述漏极之间；

栅极电介质，其触及所述沟道区且位于所述沟道区上方；及

栅极，其触及所述栅极电介质且位于所述栅极电介质上方。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，且其进一步包括侧壁间隔件，所述侧壁间隔件为非导电的、触及所述隆起源极区及所述隆起漏极区且横向环绕所述栅极。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述侧壁间隔件触及所述隆起源极区的顶部表面且位于所述隆起源极区的顶部表面上方。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述侧壁间隔件的最大宽度大致大于分离所述隆起源极区与所述栅极的最小距离。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述隆起源极区的顶部表面及所述隆起漏极区的顶部表面位于通过所述栅极的平面中，所述平面位于所述栅极的底部表面上面。

6.一种半导体结构，其包括：

半导体区，其具有导电类型；

源极，其具有与所述半导体区的所述导电类型相反的导电类型，且包含触及所述半导体区的轻掺杂源极区、触及所述轻掺杂源极区的重掺杂源极区及触及所述重掺杂源极区的隆起源极区，所述重掺杂源极区具有宽度，所述隆起源极区具有宽度，所述重掺杂源极区的所述宽度大致大于所述隆起源极区的所述宽度；

漏极，其具有与所述半导体区的所述导电类型相反的导电类型，且包含触及所述半导体区的轻掺杂漏极区、触及所述轻掺杂漏极区的重掺杂漏极区及触及所述重掺杂漏极区的隆起漏极区；

所述半导体区的沟道区，其横向位于所述源极与所述漏极之间；

栅极电介质，其触及所述沟道区且位于所述沟道区上方；及

栅极，其触及所述栅极电介质且位于所述栅极电介质上方。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，且其进一步包括侧壁间隔件，所述侧壁间隔件为非导电的、并触及所述栅极且横向环绕所述栅极。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中所述侧壁间隔件触及所述隆起源极区及所述隆起漏极区。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中所述侧壁间隔件与所述隆起源极区及所述隆起漏极区间隔开。

10.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述隆起源极区的顶部表面及所述隆起漏极区的顶部表面位于通过所述栅极的平面中，所述平面位于所述栅极的底部表面上面。

11.一种形成半导体结构的方法，其包括：

形成栅极结构，所述栅极结构包含触及半导体区且位于所述半导体区上面的栅极电介质及触及所述栅极电介质且位于所述栅极电介质上面的栅极；

在已形成所述栅极结构之后植入所述半导体区以形成触及所述半导体区的轻掺杂源极区及轻掺杂漏极区；

形成触及所述栅极结构且横向环绕所述栅极结构的第一侧壁间隔件；

在已形成所述第一侧壁间隔件之后植入所述半导体区、所述轻掺杂源极区及所述轻掺杂漏极区以形成重掺杂源极区及重掺杂漏极区，所述重掺杂源极区触及所述半导体区及所述轻掺杂源极区，所述重掺杂漏极区触及所述半导体区及所述轻掺杂漏极区；

在已形成所述重掺杂源极区及所述重掺杂漏极区之后形成触及所述栅极结构且横向环绕所述栅极结构的第二侧壁间隔件；及

在已形成所述第二侧壁间隔件之后外延生长触及所述重掺杂源极区的隆起源极区及触及所述重掺杂漏极区的隆起漏极区。

12.根据权利要求11所述的方法，且其进一步包括在已形成所述重掺杂源极区及所述重掺杂漏极区之后且在形成所述第二侧壁间隔件之前移除所述第一侧壁间隔件。