[发明专利]一种鲜食型甘薯优质高产栽培方法

权利要求书

1.一种鲜食型甘薯优质高产栽培方法，其特征在于：包括如下步骤：

A、选地，选排水畅通、土层深厚、无甘薯病害的生茬沙质土壤；

B、基施有机肥；

C、起垄，深耕25-30 cm，耙细，起垄面中间略凹陷的大垄，垄高30-35 cm，垄宽110-120cm；

D、铺设滴灌带，在步骤C中垄面中间凹陷处铺设滴灌带；

E、覆黑色地膜；

F、移栽；

G、膜下滴灌施肥，在甘薯生长的团棵期、封垄期、薯块膨大期利用已经铺设的滴灌带进行膜下滴灌施肥，N、P₂O₅、K₂O的用量分别为60-90 kg/hm²、50-90 kg/hm²、120-180kg/hm²，N∶P₂O₅∶K₂O为1∶0.8-1∶1.5-2，团棵期、封垄期和薯块膨大期的肥料用量分别为2-3份、3-4份和3-4份。

2.根据权利要求1所述的鲜食型甘薯优质高产栽培方法，其特征在于，所述步骤F包括如下步骤：

F1、采用双排打孔器在覆膜垄面上打两行相互交错的孔穴，株距22-25 cm，行间距45－50cm；

F2、在苗床上距苗基部3-5 cm将苗剪下，并将炼苗时间延长3-6天；

F3、用稀释1000倍的多菌灵溶液浸泡高剪苗基部5-8分钟后，把薯苗移栽于孔穴中。

3.根据权利要求1所述的鲜食型甘薯优质高产栽培方法，其特征在于，所述步骤A中土壤pH值为5.0-7.0。

4.根据权利要求1所述的鲜食型甘薯优质高产栽培方法，其特征在于，所述步骤B中，在所选地块表面均匀撒施腐熟好的有机肥。