[发明专利]制造太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 201310737942.3 | 申请日： | 2013-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103928566A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 金珉圣;金旼奎;金秀娟;南毓铉;姜球贤 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 太阳能电池 方法 | ||
1.一种用于制造太阳能电池的方法，所述方法包括：
在基板上形成第一电极；
去除第一电极的一部分以形成第一电极开口；
在第一电极上和在第一电极开口中形成光吸收层；以及
对基板施加激光束以在第一电极和至少光吸收层之间产生界面反应，从而去除光吸收层的一部分以形成光吸收层开口。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述界面反应包括在光吸收层中的硒的蒸发。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述界面反应包括在光吸收层中的硫的蒸发。
4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在光吸收层上和在光吸收层开口中形成第二电极；以及
对基板施加激光束以在第一电极和至少光吸收层之间产生另一次界面反应，从而去除光吸收层的另一部分和第二电极的相应部分以形成第二电极开口。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，光吸收层包括属于周期表的第IB族的元素、属于周期表的第IIIA族的元素以及属于周期表的第VIA族的元素的化合物。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，光吸收层包括CuInSe、CuInSe2、CuInGaSe或CuInGaSe2。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，光吸收层包括硫以及CuInSe、CuInSe2、CuInGaSe和CuInGaSe2中的一种。
8.根据权利要求4所述的方法，其中，第二电极包括掺杂硼的氧化锌、ZnO、In2O3或氧化铟锡。
9.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括在第二电极上涂覆抗反射涂层。
10.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括在形成第二电极之前在光吸收层上形成缓冲层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，缓冲层包括CdS、ZnS或In2O3。
12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在形成光吸收层之前在第一电极上形成中间层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，中间层包括MoSe2。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，激光束使所述中间层中的硒蒸发。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，中间层在至厚度的范围内。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，第一电极是不透明的。
17.根据权利要求1所述的方法，其中，第一电极包括镍、铜、金或钼。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
