[发明专利]制造太阳能电池的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造太阳能电池的方法。

背景技术

为了制作太阳能电池模块，使用用于形成多个单位单元并且串联地使用单位单元的工艺，其中，每个单位单元包括形成在基板上的电极和光吸收层。将电极和光吸收层适当地图案化，使得单位单元各自分离并且彼此电学地使用或电学地结合，但是图案化工艺因损害了电极（例如，位于基板和光吸收层之间的第一电极或下电极）而可能使整个太阳能电池的特性劣化。

在本背景技术部分中公开的以上信息仅为了增强对本发明的背景的理解，因此，其可以包含不构成对于本领域普通技术人员来说在本国内已知的现有技术的信息。

发明内容

一种用于制造太阳能电池的方法包括：在基板上形成第一电极；去除第一电极的一部分以形成第一电极开口；在第一电极上和在第一电极开口中形成光吸收层；以及对基板施加激光束以在第一电极和至少光吸收层之间产生界面反应，从而去除光吸收层的一部分以形成光吸收层开口。

所述界面反应可以包括在光吸收层中的硒（Se）的蒸发。

所述界面反应可以包括在光吸收层中的硫（S）的蒸发。

可以在光吸收层上和在光吸收层开口中形成第二电极；可以对基板施加激光束以在第一电极和至少光吸收层之间产生另一次界面反应，从而去除光吸收层的另一部分和第二电极的相应部分以形成第二电极开口。

光吸收层可以包括属于周期表的第IB族的元素、属于周期表的第IIIA族的元素以及属于周期表的第VIA族的元素的化合物。

光吸收层可以包括CuInSe、CuInSe₂、CuInGaSe或CuInGaSe₂。

光吸收层可以包括硫（S）以及CuInSe、CuInSe₂、CuInGaSe和CuInGaSe₂中的一种。

第二电极可以包括BZO、ZnO、In₂O₃或ITO。

可以在第二电极上形成抗反射涂层。

可以在形成第二电极之前在光吸收层上形成缓冲层。

缓冲层可以包括CdS、ZnS或In₂O₃。

可以在形成光吸收层之前在第一电极上形成中间层。

中间层可以包括MoSe₂。

激光束可以使所述中间层中的硒（Se）蒸发。

层间层可以在大约至大约厚度的范围内。

第一电极可以是不透明的。

第一电极可以包括镍（Ni）、铜（Cu）、金（Au）或钼（Mo）。

本发明的实施例提供了一种用于制造太阳能电池的方法，其中，当通过将太阳能电池的电极和光吸收层图案化来构造该太阳能电池时，该方法减少了对该电极的损害或使对电极的损害最小化。

根据本发明的示例实施例的用于制造太阳能电池的方法，当在基板上形成多个单位单元时，可以减少（例如，防止）对形成单位单元的电极的损害并且可以均匀地划分单位单元，从而防止所制造的太阳能电池的效率的下降或劣化。

此外，可以通过使用相同的激光束来图案化其他图案，从而降低了制造成本。

本发明的附加方面和/或特性将在下面的描述中部分地进行阐述，部分地通过描述将是清楚的或者可通过本发明的实践而了解。

附图说明

图1示出根据本发明的实施例的太阳能电池的剖视图。

图2至图7示出根据本发明的实施例的用于制造太阳能电池的工艺的剖视图。

图8示出根据本发明的实施例的第二电极开口的图像。

图9示出根据对比工艺的第二电极开口的图像。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例实施例。如本领域技术人员将意识到的，在所有不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。

图1示出根据本发明的实施例的太阳能电池的构造的剖视图。

参照图1，太阳能电池100包括基板10、第一电极20（例如，下电极层或不透明电极层）、光吸收层30、缓冲层40和第二电极50（例如，上电极层或透明电极层）。

太阳能电池100可以是在光吸收层30中包括CIS（Cu、In和Se）或CIGS（Cu、In、Ga和Se）的化合物半导体太阳能电池。在下文中，将举例说明包括CIS或CIGS的光吸收层30。