[发明专利]OLED显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种OLED显示面板制作方法，包括：在衬底基板上依次形成包括阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层的步骤，其特征在于，还包括在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧形成由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层；

其中，采用第一掩膜板在所述第一光耦合层上进行蒸镀形成所述第二光耦合层；使所述第一掩膜板上的相邻两个狭缝或相邻两个圆孔之间的间距达到适当的距离，使得蒸镀形成的相邻两个条形半圆柱或相邻两个半球之间紧密接触；

所述第一掩膜板上包括若干用于蒸镀所述第二光耦合层的开孔，且所述开孔的孔壁与所述第一掩膜板表面垂直；

所述第一掩膜板上的开孔为狭缝，且狭缝的放置方向与在形成所述有机发光层时采用的第二掩膜板上的狭缝的放置方向垂直，蒸镀形成的所述表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。

2.如权利要求1所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，所述第一掩膜板上的狭缝宽度小于所述第二掩膜板的狭缝宽度。

3.如权利要求1所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，所述第一掩膜板上的开孔为圆点状，蒸镀形成的表面为弧面的凸起结构为半球。

4.如权利要求3所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，圆点状的开孔的孔径宽度小于在形成所述有机发光层时采用的第二掩膜板上的狭缝的宽度。

5.如权利要求1～4中任一项所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，所述第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。

6.如权利要求5所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，所述n大于等于1.8。

7.如权利要求1～4中任一项所述的OLED显示面板制作方法，其特征在于，所述第一光耦合层和第二光耦合层的材料包括：ZnSe、TiO₂、SiO₂、Si₃N₄、Alq₃其中之一或至少两种的混合材料。

8.一种OLED显示面板，包括依次形成在衬底基板上的阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层，其特征在于，还包括：形成在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧的由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层；

其中，所述第二光耦合层采用第一掩膜板在所述第一光耦合层上进行蒸镀形成；所述第一掩膜板上的相邻两个狭缝或相邻两个圆孔之间的间距达到适当的距离，使得蒸镀形成的相邻两个条形半圆柱或相邻两个半球之间紧密接触；

所述第一掩膜板上包括若干用于蒸镀所述第二光耦合层的开孔，且所述开孔的孔壁与所述第一掩膜板表面垂直；

所述第一掩膜板上的开孔为狭缝，且狭缝的放置方向与在形成所述有机发光层时采用的第二掩膜板上的狭缝的放置方向垂直，蒸镀形成的所述表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。

9.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述半圆柱的直径小于所述显示面板的亚像素宽度。

10.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述表面为弧面的凸起结构为半球。

11.如权利要求10所述的OLED显示面板，其特征在于，所述半球的孔径宽度小于所述显示面板的亚像素宽度。

12.如权利要求8～11中任一项所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。

13.如权利要求12所述的OLED显示面板，其特征在于，所述n大于等于1.8。

14.如权利要求8～11中任一项所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一光耦合层和第二光耦合层的材料包括：ZnSe、TiO₂、SiO₂、Si₃N₄、Alq₃其中之一或至少两种的混合材料。