[发明专利]OLED显示面板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机光电器件制备领域，特别涉及一种OLED显示面板及其制作方法。

背景技术

OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）具有自发光、全固态、宽视角、响应快等诸多优点，并且在平板显示中有着巨大的应用前景，OLED被认为是继LCD（Liquid Crystal Display，液晶显示器)、PDP（Plasma Display Panel，等离子显示板）之后的新一代平板显示产品和技术。目前OLED在显示和照明领域都有广泛的应用。为了让半导体发光元件确保较高的功能可靠性及其较低的能耗，需要提高元件本身的外部量子效率（External quantum efficiency）。一般来说，半导体发光元件的外部量子效率取决于其本身的内部量子效率以及光取出效率。其中内量子效率由材料本身的特性所决定，因此在内部量子效率无法有效提升的情况下，增加半导体发光组件的光取出效率尤为重要。

在现有技术中，采用适当厚度且折射率相配的材料作为阴极覆盖层，可以提高顶发射器件的光取出效率。一般采用折射率越大的材料，阴极的透过率越大，越有利于光的取出。因此通常采用高折射率的材料作为增透层，增加顶发射器件的光取出效率。如图1所示，为现有技术提供的OLED显示面板结构示意图，在基板1上依次形成阳极2、有机发光层3及阴极4，在阴极4背离所述基板1的一侧形成一层平面光耦合层5。

然而，由于增透层的折射率大于空气折射率，如图1所示，光在出射到阴极覆盖层的顶端时，部分光发生了全反射，因此，在出光侧会发生全发射，不利于光的取出，损失了部分光。

发明内容

（一）解决的技术问题

本发明解决的技术问题是：如何提供一种OLED显示面板及其制作方法，解决现有技术中在出光侧发生全反射的问题。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种OLED显示面板制作方法，包括：在衬底基板上依次形成包括阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层的步骤，还包括在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧形成由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层。

其中，在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧形成由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层的步骤具体包括：

采用第一掩膜板在所述第一光耦合层上进行蒸镀形成所述第二光耦合层；所述第一掩膜板上包括若干用于蒸镀所述第二光耦合层的开孔，且所述开孔的孔壁与所述第一掩膜板表面垂直。

其中，所述第一掩膜板上的开孔为狭缝，且狭缝的放置方向与在形成所述有机发光层时采用的第二掩膜板上的狭缝的放置方向垂直，蒸镀形成的所述表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。

其中，所述第一掩膜板上的狭缝宽度小于所述第二掩膜板的狭缝宽度。

其中，所述第一掩膜板上的开孔为点状，蒸镀形成的表面为弧面的凸起结构为半球。

其中，圆点状的开孔的孔径宽度小于在形成所述有机发光层时采用的第二掩膜板上的狭缝的宽度。

其中，所述第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。

其中，所述n大于等于1.8。

其中，所述第一光耦合层和第二光耦合层的材料包括：ZnSe、TiO₂、SiO₂、Si₃N₄、Alq₃其中之一或至少两种的混合材料。

本发明还提供了一种OLED显示面板，包括依次形成在衬底基板上的阳极、有机发光层、阴极及第一光耦合层，还包括：形成在所述第一光耦合层背离所述阴极的一侧的由若干表面为弧面的凸起结构排列成的第二光耦合层。

其中，所述表面为弧面的凸起结构为条形的半圆柱。

其中，所述半圆柱的直径小于所述显示面板的亚像素宽度。

其中，所述表面为弧面的凸起结构为半球。

其中，所述半球的孔径宽度小于所述显示面板的亚像素宽度。

其中，所述第一光耦合层和第二光耦合层的厚度和为λ/4n，λ为发光峰值波长；n为所述第一光耦合层和第二光耦合层的折射率。

其中，所述n大于等于1.8。