[发明专利]一种被动偏光式三维显示装置及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种被动偏光式三维显示装置及其制作方法。

背景技术

如图1所示，使用位相差结构的被动偏光式三维(3D)显示装置的结构包括:从左向右依次为,背光模组（Back Light Unit，BLU）101、第一偏光片（Polarizer，POL）102、薄膜晶体管（Thin Film Transistor，）阵列基板103、彩膜基板（Color Filter，CF）104、第二偏光片105、位相差结构106。其中，阵列基板103与彩膜基板104之间填充有液晶（图1中未显示）。位相差结构106上排列多个图案位相差膜片107，彩膜基板104的靠近阵列基板103的一侧设置有多个黑矩阵条108。各黑矩阵条108在位相差结构106上的正投影一一覆盖位相差结构106上各图案位相差膜片107的分界线，彩膜基板104膜面上两条相邻的图案位相差膜片107分界线之间的区域为一个像素区。通常，使用位相差结构的被动偏光式三维显示装置的垂直视角可以通过公式B=arcsin(折射率×sinA)确定，折射率可以取经验值1.5，角A是根据相邻像素无光学干扰原则确定的一个像素区的3D显示时最大垂直透光角度。通常，在垂直视角之外，相邻像素会发生光学干扰而影响图像质量。因此被动偏光式三维显示装置的垂直视角越大越好。根据垂直视角的确定公式可知，角A越大，使用位相差结构的被动偏光式三维显示装置的垂直视角越大。根据相邻像素无光学干扰原则，可以将图1中的被动偏光式三维显示装置的角A的两条边确定为图2中的ab和cd，图2中的ab和cd的确定方法为：首先确定各像素边界处的两个黑矩阵条108靠近该像素中心的边（实际应用中，由于黑矩阵条108的厚度较小，因此忽略不计），在与该边垂直的平面的交点（图2为剖面图，因此，与该边垂直的平面可以为图1及图2所示的剖面）a，c；再确定该黑矩阵条108在位相差结构106的正投影覆盖的图案位相差膜片107分界线，在同一平面（可以为图2所示的剖面）上的交点b，d；连接ab，cd，即可确定角A的两条边。则根据当前被动偏光式三维显示装置的结构可以得出∠A=2（∠A/2），∠A/2=arc tan（（h/2）/D），其中，h为黑矩阵条108（BM）的宽度，D为彩膜基板104与第二偏光片105的厚度之和。因此，∠A=2arc tan（h/2D）。在计算∠A/2时，并未考虑第二偏光片105和位相差结构106之间的距离，因为实际应用中，第二偏光片105和位相差结构106之间的距离很小，可以忽略。

为了保证各像素的开口率，黑矩阵条108的宽度不能太大，而彩膜基板104和第二偏光片105的厚度也很难做到更小，因此被动偏光式三维显示装置也很难具有较大的垂直视角。

发明内容

本发明实施例提供一种被动偏光式三维显示装置及其制作方法，以增大被动偏光式三维显示装置的垂直视角。

一种被动偏光式三维显示装置，包括：

背光板、位于背光板上方的第一偏光片、位于第一偏光片上的阵列基板、位于阵列基板上方的彩膜基板、位于彩膜基板上的第二偏光片以及位于第二偏光片上方的位相差结构，位相差结构上排列多个图案位相差膜片；

阵列基板面向第一偏光片一侧存在多个遮光条，多个遮光条在位相差结构上的正投影覆盖位相差结构上各图案位相差膜片的分界线；

彩膜基板面向阵列基板一侧存在多个黑矩阵条，多个黑矩阵条在位相差结构上的正投影覆盖位相差结构上各图案位相差膜片的分界线。

进一步，遮光条在位相差结构上的投影被黑矩阵条在所述位相差结构上的投影覆盖，以避免由于遮光条的遮光作用减小像素开口率。

进一步，遮光条与所述黑矩阵条在所述位相差结构上的投影重合，以实现在避免由于遮光条的遮光作用影响被动偏光式三维显示装置的显示效果的同时，令被动偏光式三维显示装置的垂直视角最大。

进一步，为了简化制作工艺，遮光条与所述黑矩阵条的大小形状相同。

进一步，为了实现较佳的遮光效果，所述遮光条的材质为金属或者压克力聚合物。

进一步，遮光条的材质为金属，以减少整个阵列基板背面的电阻率，起到更好的静电屏蔽作用。

进一步，所述遮光条在所述位相差结构上的正投影关于其覆盖的图案位相差膜片分界线对称，以保证各像素的垂直视角均匀。

进一步，为了简化制作工艺，遮光条设置在所述阵列基板的玻璃基板面向所述第一偏光片的一侧。

一种被动偏光式三维显示装置的制作方法，包括：