[发明专利]形成掩模板图形的方法

权利要求书

1.一种形成掩模板图形的方法，其特征在于，包括：

提供原始线状图形，所述原始线状图形具有两个相对的终端相邻片段，所述终端相邻片段与原始线状图形的终端相邻，并与其长度方向一致，所述终端相邻片段之间具有第一距离；

修改所述原始线状图形，得到新的线状图形，所述新的线状图形的两个终端相邻片段之间的距离为第二距离，所述第二距离大于第一距离；

以所述新的线状图形为基础，在OPC模型中形成掩模板图形，所述掩模板图形与原始线状图形的终端相邻片段相对应的边之间的距离增大，而与原始线状图形的终端相对应的边之间的距离缩小，所述OPC模型中形成掩模板图形包括：获取所述新的线状图像，输入相关工艺参数至OPC模型中，形成掩膜板图形。

2.如权利要求1所述的形成掩模板图形的方法，其特征在于，还包括：修改原始线状图形长度方向上与所述终端相邻片段相邻的其他片段，使新的线状图形沿长度方向上的两个相对片段之间的距离由终端向中间递减。

3.如权利要求1或2所述的形成掩模板图形的方法，其特征在于，在修改所述原始线状图形之前，先根据掩模板工艺极限对用户目标图形进行预判断，获取所述用户目标图形中后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形；对所述后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形进行修改，形成新的线状图形。

4.如权利要求3所述的形成掩模板图形的方法，其特征在于，所述对用户目标图形进行预判断的方法为：以所述用户目标图形为基础，在OPC模型中形成初始掩模板图形，所述初始掩模板图形具有多个子掩模图形，所述子掩模图形与用户目标图形中的原始线状图形相对应；获取各相邻子掩模图形之间的距离；当相邻子掩模图形之间的距离小于掩模板工艺极限时，对与该相邻子掩模图形相对应的原始线状图形进行标记，被标记的原始线状图形为后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形。

5.如权利要求1所述的形成掩模板图形的方法，其特征在于，以OPC模型中形成的掩模板图形为基础，制作掩模板。

6.如权利要求5所述的形成掩模板图形的方法，其特征在于，以具有掩模板图形的掩模板对晶圆表面的光刻胶层进行曝光、显影，形成实际的光刻图形。