[发明专利]形成掩模板图形的方法

说明书

一种形成掩模板图形的方法，包括：提供原始线状图形，所述原始线状图形具有两个相对的终端相邻片段，所述终端相邻片段与原始线状图形的终端相邻，并与其长度方向一致，所述终端相邻片段之间具有第一距离；修改所述原始线状图形，得到新的线状图形，所述新的线状图形的两个终端相邻片段之间的距离为第二距离，所述第二距离大于第一距离；以所述新的线状图形为基础，在OPC模型中形成掩模板图形。可有效减小甚至消除掩模板工艺极限对制造图形质量的影响，后续可制造出质量更高的光刻图形。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种形成掩模板图形的方法。

背景技术

在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，它的结果就是最终对设计图形产生的光学影像退化，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为OPE（Optical Proximity Effect，光学邻近效应）。

为了修正OPE现象，便产生了OPC（Optical Proximity Correction，光学邻近效应修正）。OPC的核心思想就是基于抵消OPE现象的考虑建立OPC模型，根据OPC模型设计掩模板图形，这样虽然光刻后的光刻图形相对应掩模板图形发生了OPC现象，但是由于在根据OPC模型设计光掩模图形时已经考虑了对该现象的抵消，因此，光刻后的光刻图形接近于用户实际希望得到的目标图形。

然而，实际制造过程中，采用现有OPC模型制造出的图形质量仍然有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种形成掩模板图形的方法，可有效提高后续制造的图形质量。

为解决上述问题，本发明提供一种形成掩模板图形的方法，包括：提供原始线状图形，所述原始线状图形具有两个相对的终端相邻片段，所述终端相邻片段与原始线状图形的终端相邻，并与其长度方向一致，所述终端相邻片段之间具有第一距离；修改所述原始线状图形，得到新的线状图形，所述新的线状图形的两个终端相邻片段之间的距离为第二距离，所述第二距离大于第一距离；以所述新的线状图形为基础，在OPC模型中形成掩模板图形。

可选的，还包括：修改原始线状图形长度方向上与所述终端相邻片段相邻的其他片段，使新的线状图形沿长度方向上的两个相对片段之间的距离由终端向中间递减。

可选的，在修改所述原始线状图形之前，先根据掩模板工艺极限对用户目标图形进行预判断，获取所述用户目标图形中后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形；对所述后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形进行修改，形成新的线状图形。

可选的，所述对用户目标图形进行预判断的方法为：以所述用户目标图形为基础，在OPC模型中形成初始掩模板图形，所述初始掩模板图形具有多个子掩模图形，所述子掩模图形与用户目标图形中的原始线状图形相对应；获取各相邻子掩模图形之间的距离；当相邻子掩模图形之间的距离小于掩模板工艺极限时，对与该相邻子掩模图形相对应的原始线状图形进行标记，被标记的原始线状图形为后续会受掩模板工艺极限限制的原始线状图形。

可选的，以OPC模型中形成的掩模板图形为基础，制作掩模板。

可选的，以具有掩模板图形的掩模板对晶圆表面的光刻胶层进行曝光、显影，形成实际的光刻图形。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

在获取到原始线状图形后，修改原始线状图形的两个相对的终端相邻片段之间的距离，形成新的线状图形，使得新的线状图形的两个终端相邻片段之间的距离增大。以所述新的线状图形为基础，在OPC模型中形成的掩模板图形中，其与原始线状图形的终端相邻片段相对应的边之间的距离增大，而与原始线状图形的终端相对应的边之间的距离可进一步缩小，从而可有效减小甚至消除掩模板工艺极限对制造图形质量的影响，后续可制造出质量更高的光刻图形。