[发明专利]LDMOS器件的制造方法及结构在审
| 申请号： | 201310739299.8 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752208A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 仇峰;史航 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 制造 方法 结构 | ||
1.一种LDMOS器件的制造方法，包括步骤：
提供半导体基底，所述半导体基底形成有隔离槽和阱区，并设有高压区；
在所述半导体基底的表面形成牺牲层，所述牺牲层被所述隔离槽隔离开；
在所述高压区的隔离槽上形成光阻层，所述光阻层遮挡住位于所述隔离槽两侧的部分牺牲层；
以所述光阻层为掩膜，去除暴露出的牺牲层；
去除所述光阻层；
在所述高压区的半导体基底上形成栅介质层，所述栅介质层覆盖位于所述隔离槽两侧的部分牺牲层；
在所述栅介质层上形成栅极。
2.如权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述牺牲层厚度的范围是
3.如权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材质为氧化硅。
4.如权利要求1所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述半导体基底还设有器件区。
5.如权利要求4所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述栅介质层包括第一栅介质层和第二栅介质层。
6.如权利要求5所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，在所述高压区的半导体基底上形成栅介质层中，形成所述栅介质层的步骤包括：
在所述高压区的半导体基底上形成第一栅介质层，所述第一栅介质层覆盖位于所述隔离槽两侧的部分牺牲层；
在所述高压区和器件区的半导体基底上形成第二栅介质层，所述第二栅介质层覆盖第一栅介质层。
7.如权利要求6所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述第一栅介质层和第二栅介质层的材质为氧化硅。
8.如权利要求7所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述第一栅介质层的厚度大于所述第二栅介质层的厚度。
9.如权利要求8所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，在所述第二栅介质层的表面形成栅极。
10.如权利要求9所述的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述栅极的材质为多晶硅。
11.一种LDMOS器件结构，采用如权利要求1至10中任意一种方法形成，所述结构包括：设有高压区的半导体基底，形成于所述半导体基底内的隔离槽，位于所述隔离槽边缘两侧的牺牲层，所述牺牲层暴露出半导体基底，形成于所述半导体基底表面的栅介质层，所述栅介质层覆盖所述牺牲层以及形成于所述栅介质层表面的栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
