[发明专利]LDMOS器件的制造方法及结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种LDMOS器件的制造方法及结构。

背景技术

集成电路中，通常需要将不同的器件、电路集合在一起来实现特定的功能，而不同的器件具有不同的基础操作特性，需要不同的电压来驱动，然而不同的工作电压需要不同的栅氧化层的厚度来承载，因此通常需要制造出不同厚度的栅氧化层来实现电路的整合。

含有高压LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体）的CMOS工艺就是在集成电路中制造两种或三种不同厚度的栅氧化层，实现电路的整合。由于栅氧化层通常厚度较薄，也较为敏感，因此栅氧化层也是集成电路制造过程中最薄弱的环节之一。其制造工艺较为复杂，工艺窗口较窄，与前后工艺的契合度要求高。若出现微小偏差便很容易造成良率损失，因此，业界普遍认为在生产中栅氧化层是最容易出问题的工艺之一。

通常的高压LDMOS栅氧化层较厚，然而，在其生长的过程中，在有源区和隔离槽(STI)的边缘处很容易形成浅沟(DIVOT)等缺陷，导致在有源区和隔离槽)的边缘处的栅氧化层厚度比较薄。器件在有源区和隔离槽的边缘处容易形成较大的电势差，较薄的栅氧化层的可靠性不够，致使器件抗电压击穿能力下降，严重的甚至直接造成整个芯片失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LDMOS器件的制造方法及结构，能够提高隔离槽边缘处的栅介质层的厚度，提高器件的可靠性。

为了实现上述目的，本发明提出了一种LDMOS器件的制造方法，包括步骤：

提供半导体基底，所述半导体基底形成有隔离槽和阱区，并设有高压区；

在所述半导体基底的表面形成牺牲层，所述牺牲层被所述隔离槽隔离开；

在所述高压区的隔离槽上形成光阻层，所述光阻层覆盖范围大于隔离槽的边缘，遮挡住位于所述隔离槽两侧的部分牺牲层；

以所述光阻层为掩膜，去除暴露出的牺牲层；

去除所述光阻层；

在所述高压区的半导体基底上形成栅介质层，所述栅介质层覆盖位于所述隔离槽两侧的部分牺牲层；

在所述栅介质层上形成栅极。

进一步的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，所述牺牲层厚度的范围是

进一步的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，所述牺牲层的材质为氧化硅。

进一步的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，所述半导体基底还设有器件区。

进一步的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，所述栅介质层包括第一栅介质层和第二栅介质层。

进一步的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，在所述高压区的半导体基底上形成栅介质层中，形成所述栅介质层的步骤包括：

在所述高压区的半导体基底上形成第一栅介质层，所述第一栅介质层覆盖位于所述隔离槽两侧的部分牺牲层；

在所述高压区和器件区的半导体基底上形成第二栅介质层，所述第二栅介质层覆盖第一栅介质层。

进一步的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，所述第一栅介质层和第二栅介质层的材质为氧化硅。

进一步的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，所述第一栅介质层的厚度大于所述第二栅介质层的厚度。

进一步的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，在所述第二栅介质层的表面形成栅极。

进一步的，在所述的LDMOS器件的制造方法中，所述栅极的材质为多晶硅。

进一步的，本发明还提出了一种LDMOS器件结构，采用如上文中任意一种方法形成，所述结构包括：设有高压区的半导体基底，形成于所述半导体基底内的隔离槽，位于所述隔离槽边缘两侧的牺牲层，所述牺牲层暴露出半导体基底，形成于所述半导体基底表面的栅介质层，所述栅介质层覆盖所述牺牲层以及形成于所述栅介质层表面的栅极。

与现有技术相比，本发明的有益效果主要体现在：使用光阻遮挡住位于隔离槽边缘两侧的牺牲层，在去除暴露的牺牲层时能够保留位于隔离槽边缘两侧的牺牲层，接着形成栅介质层覆盖位于隔离槽边缘两侧的牺牲层，增加了位于隔离槽边缘两侧介质层的厚度，提高了器件的可靠性。

附图说明

图1为本发明一实施例中LDMOS器件的制造方法的流程图；

图2至图6为本发明一实施例中LDMOS器件的制造方法过程中的剖面示意图。

具体实施方式