[发明专利]一种HKMG器件及其制备方法

权利要求书

1.一种HKMG器件，其特征在于，所述HKMG器件至少包括一具有PFET器件区域的衬底，所述PFET器件区域中包括源区和漏区，且位于所述PFET器件区域中的衬底上还设置有第一金属栅极结构；

所述第一金属栅极结构与所述衬底之间按照从上至下顺序还依次设置有绝缘层、Si层和SiGe层；

其中，所述绝缘层、所述Si层和所述SiGe层均位于所述源区和所述漏区之间的PFET器件区域中。

2.根据权利要求1所述的HKMG器件，其特征在于，所述Si层和所述SiGe层均嵌入设置于所述衬底中，且所述Si层的上表面低于所述衬底的上表面。

3.根据权利要求1所述的HKMG器件，其特征在于，所述第一金属栅极结构包括第一金属栅极、第一侧墙和第一金属栅的栅介质层，所述第一金属栅极覆盖所述第一金属栅的栅介质层的上表面，所述第一侧墙覆盖所述第一金属栅极和所述第一金属栅的栅介质层的侧壁；

其中，所述Si层覆盖所述SiGe层的上表面，所述隔层覆盖所述Si层的上表面，所述第一金属栅的栅极介质层覆盖所述隔层的上表面。

4.根据权利要求3所述的HKMG器件，其特征在于，所述衬底上还设置有NFET器件区域，且位于所述NFET器件区域的衬底上还设置有第二金属栅极结构；

所述第二金属栅极结构包括第二金属栅极、第二侧墙和第二金属栅的栅介质层，所述第二金属栅极覆盖所述第二金属栅的栅介质层的上表面，所述第二侧墙覆盖所述第二金属栅极和所述第二金属栅的栅介质层的侧壁，且所述第二金属栅的栅介质层和所述第二侧墙均位于所述NFET器件区域中衬底的上表面。

5.根据权利要求4所述的HKMG器件，其特征在于，所述器件还包括一层间介质层，所述层间介质层覆盖所述衬底的表面，且所述第一金属栅极结构和第二金属栅极结构均嵌入设置于所述层间介质层中。

6.根据权利要求4所述的HKMG器件，其特征在于，所述第一金属栅的栅介质层和所述第二金属栅的栅介质层的材质均为高介电常数材料。

7.根据权利要求1所述的HKMG器件，其特征在于，所述器件还包括一衬底凹槽，所述衬底凹槽设置于所述PFET器件区域中的衬底上，且所述SiGe层覆盖所述衬底凹槽的底部表面；

其中，且所述衬底凹槽的深度为

8.根据权利要求1所述的HKMG器件，其特征在于，所述衬底为硅衬底，且所述源区为非晶硅源区，所述漏区为非晶硅漏区。

9.根据权利要求1所述的HKMG器件，其特征在于，所述SiGe层的厚度为

10.根据权利要求1所述的HKMG器件，其特征在于，所述Si层的厚度为

11.一种HKMG器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供一半导体结构，且该半导体结构的PFET器件区域中的衬底上设置有第一栅介质层和第一样本栅；

去除所述第一样本栅后，于所述半导体结构上涂覆深紫外线吸收氧化材料层；

继续采用光刻、刻蚀工艺去除位于PFET器件区域中的深紫外线吸收氧化材料层，以将所述第一栅介质层暴露；

刻蚀所述第一栅介质层至所述衬底中，形成衬底凹槽；

于所述衬底凹槽的底部表面依次生长SiGe层和Si层后，制备一绝缘层覆盖所述Si层的表面；

于所述绝缘层的上表面依次制备第三栅介质层和第一金属栅极。

12.根据权利要求11所述的HKMG器件的制备方法，其特征在于，所述半导体结构还包括NFET器件区域，且所述NFET器件区域中设置有第二样本栅结构，所述PFET器件区域设置有第一样本栅结构；

所述第一样本栅结构包括所述第一栅介质层、所述第一样本栅和第一侧墙；

所述第二样本栅结构包括第二栅介质层、第二样本栅和第二侧墙。