[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：多个互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型的第一薄膜晶体管和P型的第二薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅极、第一源极和第一漏极；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第一栅极与所述第二源极以及第二漏极经过一次构图工艺形成。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极与所述第一源极以及第一漏极经过一次构图工艺形成。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板以及依次设置在所述基板上的多晶硅半导体有源层、栅绝缘层、第二栅金属层、氧化物半导体有源层、介质层以及第一栅金属层；其中，

所述第二栅金属层包括：第二栅极、第一源极和第一漏极；

所述第一栅金属层包括：第一栅极、第二源极和第二漏极；

其中，所述第一源极和第一漏极与所述氧化物半导体有源层直接接触电连接，所述第二源极和第二漏极通过过孔与所述多晶硅半导体有源层电连接。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个子像素单元，每一所述子像素单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，且所述第一漏极与所述第二栅极通过连接电极电连接。

6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极，且所述像素电极与所述第二漏极电连接。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第二薄膜晶体管的多晶硅半导体有源层；

在所述基板上形成栅绝缘层；

在所述基板上形成第二薄膜晶体管的第二栅极以及第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极；

在所述基板上形成第一薄膜晶体管的氧化物半导体有源层；

在所述基板上形成第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极以及第一薄膜晶体管的第一栅极。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺在所述基板上形成第二薄膜晶体管的第二栅极以及第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，通过一次构图工艺在所述基板上形成第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极以及第一薄膜晶体管的第一栅极。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成第二薄膜晶体管的多晶硅半导体有源层具体包括：

在基板上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行掺杂。

11.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极以及第一薄膜晶体管的第一栅极之后，所述方法还包括：

在所述基板上形成连接电极，所述连接电极分别与所述第一漏极和所述第二栅极连接。

12.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述基板上形成像素电极，且所述像素电极与所述第二漏极电连接。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。