[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

在现有的各种显示装置中，由于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器与CRT(Cathode Ray Tube，阴极射线管)显示器或TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)相比具有更轻和更薄的外观设计、更宽的可视视角、更快的响应速度以及更低的功耗等特点，因此OLED显示器已逐渐作为下一代显示设备而备受人们的关注。

OLED显示装置是自发光器件，其通常包括像素电极、与像素电极相对设置的对电极以及设置于像素电极与对电极之间的有机发光层。OLED显示装置通过将电压施加到包括像素电极和对电极上以使设置于像素电极和对电极之间的有机发光层两端形成电场，从而使得电子和空穴能够在有机发光层中彼此复合而发光。其中，可以通过具有电路单元的阵列基板控制施加在像素电极上的电压，从而控制OLED显示装置的显示效果。

在现有的OLED显示装置中，在驱动电路部分经常会用到互补型薄膜晶体管(CMOS)，其制作工艺主要是通过构图工艺在其内的各薄膜层上形成如薄膜晶体管等器件所需的图形，这就需要进行多次构图工艺，通常需要十一次的掩膜光刻工艺以及三次掺杂工艺才能制作完成，而每次构图工艺所需的资金很昂贵；因此对于基于CMOS制作驱动电路的OLED显示装置制作而言，减少构图工艺的次数、简化制作步骤是制约其发展的难题；并且为适应OLED显示装置更轻更薄的发展需求，如何合理的减小其厚度也是急需解决的问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，简化制作工艺，降低产品的生产难度和生产成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明提供了一种阵列基板，包括：多个互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型的第一薄膜晶体管和P型的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管。

可选的，所述第一薄膜晶体管包括：第一栅极、第一源极和第一漏极；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第一栅极与所述第二源极以及第二漏极经过一次构图工艺形成。

可选的，所述第二栅极与所述第一源极以及第一漏极经过一次构图工艺形成。

可选的，所述阵列基板包括基板以及依次设置在所述基板上的多晶硅半导体有源层、栅绝缘层、第二栅金属层、氧化物半导体有源层、介质层以及第一栅金属层；其中，

所述第二栅金属层包括：第二栅极、第一源极和第一漏极；

所述第一栅金属层包括：第一栅极、第二源极和第二漏极；

其中，所述第一源极和第一漏极与氧化物半导体有源层直接接触电连接，所述第二源极和第二漏极通过过孔与所述多晶硅半导体有源层电连接。

可选的，所述阵列基板包括多个子像素单元，每一所述子像素单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，且所述第一漏极与所述第二栅极通过连接电极电连接。

可选的，所述阵列基板还包括像素电极，且所述像素电极与所述第二漏极电连接。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

在基板上形成第二薄膜晶体管的多晶硅半导体有源层；

在所述基板上形成栅绝缘层；

在所述基板上形成第二薄膜晶体管的第二栅极以及第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极；

在所述基板上形成第一薄膜晶体管的氧化物半导体有源层；

在所述基板上形成第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极以及第一薄膜晶体管的第一栅极。

可选的，通过一次构图工艺在所述基板上形成第二薄膜晶体管的第二栅极以及第一薄膜晶体管的第一源极和第一漏极。

可选的，通过一次构图工艺在所述基板上形成第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极以及第一薄膜晶体管的第一栅极。

可选的，所述在基板上形成第二薄膜晶体管的多晶硅半导体有源层具体包括：

在基板上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行掺杂。

可选的，在所述基板上形成第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极以及第一薄膜晶体管的第一栅极之后，所述方法还包括：

在所述基板上形成连接电极，所述连接电极分别与所述第一漏极和所述第二栅极连接。

可选的，所述方法还包括：