[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201310741261.4 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103904095B | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 金省均;刘玲凤;秋圣镐 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;吴鹏章 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件,包括:
衬底;
在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元;以及
构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线,
其中所述相邻发光单元中的第一发光单元包括多个第一段,并且所述相邻发光单元中的第二发光单元包括多个分别面对所述第一段的第二段,
其中,所述第一段包括:
具有接触所述连接线的端部的1-1段;以及
从所述1-1段的相反端部延伸的两个1-2段,所述两个1-2段中的每一个具有不接触所述连接线的端部,以及
其中所述第二段包括:
具有接触所述连接线的端部并且面对所述1-1段的2-1段;以及
从所述2-1段的相反端部延伸的两个2-2段,所述两个2-2段中的每一个具有不接触所述连接线的端部,并且所述两个2-2段中的每一个面对所述1-2段,
其中彼此面对的所述1-1段与所述2-1段之间的第一间隔距离大于彼此面对的所述1-2段与所述2-2段之间的第二间隔距离,
其中,面对所述2-2段的所述1-2段的端部中的每一个相比面对所述2-1段的所述1-1段的端部突出第一突出长度,以及
其中,面对所述1-2段的所述2-2段的端部中的每一个相比面对所述1-1段的所述2-1段的端部突出第二突出长度。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一突出长度和所述第二突出长度彼此不同。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一突出长度和所述第二突出长度相同。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述1-1段的所述端部和所述2-1段的所述端部具有相同宽度。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述1-1段的所述端部和所述2-1段的所述端部具有不同宽度。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述1-2段中的每一个的所述端部和所述2-2段中的每一个的所述端部具有相同宽度。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述1-2段中的每一个的所述端部和所述2-2段中的每一个的所述端部具有不同宽度。
8.根据权利要求1的发光器件,其中所述相邻发光单元中的每个发光单元包括:
设置在所述衬底上的第一导电型半导体层;
设置在所述第一导电型半导体层上的有源层;以及
设置在所述有源层上的第二导电型半导体层。
9.根据权利要求8所述的发光器件,其中在所述1-1段中的所述第一导电型半导体层的端部接触所述连接线,并且在所述2-1段中的所述第二导电型半导体层的端部接触所述连接线。
10.根据权利要求1所述的发光器件,其中在所述1-1段和所述2-1段的相应端部之间的所述第一间隔距离在10μm至55μm之间。
11.根据权利要求1所述的发光器件,其中在所述1-2段和所述2-2段的相应端部之间的所述第二间隔距离在5μm至50μm之间。
12.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述1-1段的所述端部具有5μm至8μm的宽度。
13.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述2-1段的所述端部具有5μm至8μm的宽度。
14.根据权利要求1所述的发光器件,其中包括所述第一段的所述第一发光单元和包括所述第二段的所述第二发光单元在垂直方向上彼此相邻。
15.根据权利要求1所述的发光器件,其中包括所述第一段的所述第一发光单元和包括所述第二段的所述第二发光单元在水平方向上彼此相邻。
16.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发光器件具有如以下等式所示的增加的发光区域:
TPA=[(W12×ΔL1)×2+(W22×ΔL2)×2]×(M-1)
其中TPA表示发光区域的增加面积,W12表示所述1-2段中的每一个的所述端部的宽度,△L1表示面对所述2-2段的所述1-2段中的每一个的所述端部相比于面对所述2-1段的所述1-1段的所述端部突出的第一突出长度,W22表示所述2-2段中的每一个的所述端部的宽度,△L2表示面对所述1-2段的所述2-2段中的每一个的所述端部相比于面对所述1-1段的所述2-1段的所述端部突出的第二突出长度,以及M表示所述发光单元的数目。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的