[发明专利]发光器件有效
申请号: | 201310741261.4 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103904095B | 公开(公告)日: | 2018-09-04 |
发明(设计)人: | 金省均;刘玲凤;秋圣镐 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;吴鹏章 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 | ||
本发明公开了一种发光器件。发光器件包括:衬底;在衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元;以及电连接发光单元中的相邻发光单元的连接线,其中相邻发光单元中的一个发光单元包括多个第一段,并且相邻发光单元中的另一个发光单元包括分别面对第一段的多个第二段,其中在各自均具有接触连接线的端部的、彼此面对的第一段和第二段之间的间隔距离大于在各自均具有不接触连接线的端部的、彼此面对的第一段和第二段之间的间隔距离。
技术领域
本发明的实施方案涉及发光器件。
背景技术
基于氮化镓(GaN)的金属有机化学气相沉积、分子束外延等的发展,已开发出具有高亮度并且实现白光的红色发光二极管、绿色发光二极管和蓝色发光二极管(LED)。
这样的LED不包含在现有照明设备(如白炽灯和荧光灯)中所使用的对环境有害的材料如汞(Hg),因而表现出优异的生态友好性、长使用寿命以及低功耗,因而正在取代常规光源。这样的LED的核心竞争因素在于利用具有高效率和高功率输出的芯片以及封装技术来实现高亮度。
为了实现高亮度,重要的是增加光提取效率。为了增加光提取效率,正在对利用倒装芯片结构、表面结构化、图案化蓝宝石衬底(PSS)、光子晶体技术、抗反射层结构等的各种方法进行研究。
图1是现有发光器件10的俯视图。
图1中所示的发光器件10包括第一电极垫22和第二电极垫24、九个发光区域40以及电连接九个发光区域40中的相邻发光区域的连接金属30。在这方面,在九个发光区域40中的相邻发光区域之间的距离相等。正在对提高具有这样的一般结构的发光器件10的发光效率的各种方法进行研究。
具体地,发光区域40中的每个发光区域的发光结构(未示出)的侧壁可以相对于衬底(未示出)倾斜,以防止连接金属30断开。在这方面,发光区域40的损失是不可避免的,因而需要增加发光区域40的面积。
发明内容
实施方案提供了一种通过增加发光区域的面积而具有增强的发光效率的发光器件。
在一个实施方案中,发光器件包括衬底、在衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元、以及电连接发光单元中的相邻发光单元的连接线,其中相邻发光单元中的一个发光单元包括多个第一段,并且相邻发光单元中的另一个发光单元包括分别面对第一段的多个第二段,其中在各自均具有接触连接线的端部的、彼此面对的第一段与第二段之间的第一间隔距离大于在各自均具有不接触连接线的端部的、彼此面对的第一段与第二段之间的第二间隔距离。
第一段可以包括具有接触连接线的端部的1-1段,以及从1-1段延伸并且具有不接触连接线的端部的1-2段;并且第二段可以包括具有接触连接线的端部并且面对1-1段的2-1段,以及从2-1段延伸、具有不接触连接线的端部以及面对1-2段的2-2段。
面对2-2段的1-2段的端部可以相比面对2-1段的1-1段的端部突出第一突出长度。
面对1-2段的2-2段的端部可以相比面对1-1段的2-1段的端部突出第二突出长度。
第一突出长度和第二突出长度可以彼此相同或不同。
1-2段可以设置为从1-1段的相反侧延伸,并且2-2段可以设置为从2-1段的相反侧延伸。
1-1段的端部和2-1段的端部可以具有相同或不同的宽度。
1-2段的端部和2-2段的端部可以具有相同或不同的宽度。
相邻发光单元中的每个发光单元可以包括:设置在衬底上的第一导电型半导体层;设置在第一导电型半导体层上的有源层;以及设置在有源层上的第二导电型半导体层。
在1-1段中的第一导电型半导体层的端部可以接触连接线,并且在2-1段中的第二导电型半导体层的端部可以接触连接线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的