[发明专利]电路宽度变细缺陷防止装置及方法有效

专利信息
申请号: 201310741447.X 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN103917051B 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 成定庆;丘奉完;赵元佑 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H05K3/06 分类号: H05K3/06
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金光军;刘奕晴
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 设计信息 电路 变细 存储装置 分析装置 匹配装置 缺陷防止 推断 存储 改变装置 过度蚀刻 分类 分析
【权利要求书】:

1.一种通过使用作为与用于形成电路图案的设计相关的数据的第一设计信息和第二设计信息来防止弱部分的电路宽度变细缺陷的电路宽度变细缺陷防止装置,包括:

存储装置,用于存储根据所述弱部分的类型分类的坝设计信息;

分析装置,用于分析所述第一设计信息以推断所述弱部分的所述类型和所述弱部分的位置;

匹配装置,用于从存储在所述存储装置中的所述坝设计信息中提取与通过所述分析装置推断的所述弱部分的所述类型对应的所述坝设计信息;以及

改变装置,用于通过改变所述第一设计信息产生所述第二设计信息,以将根据由所述匹配装置提取的所述坝设计信息的坝增加至通过所述分析装置推断的所述弱部分的所述位置。

2.根据权利要求1所述的电路宽度变细缺陷防止装置,其中,所述弱部分是在第一电路图案与邻近于所述第一电路图案的第二电路图案之间的位于第一电路图案上的第一弱部分。

3.根据权利要求2所述的电路宽度变细缺陷防止装置,其中,所述第一弱部分是所述第一电路图案与所述第二电路图案之间的距离发生改变的点。

4.根据权利要求3所述的电路宽度变细缺陷防止装置,其中,所述第一弱部分是平行于所述第二电路图案的位于所述第一电路图案上的虚拟线与所述第一电路图案之间的角度改变超过1度的点。

5.根据权利要求2所述的电路宽度变细缺陷防止装置,其中,所述坝具有三角形形状。

6.根据权利要求5所述的电路宽度变细缺陷防止装置,其中,所述坝的一侧与所述第一电路图案接触,与所述第一电路图案接触的所述侧的一个顶点位于所述第一弱部分,并且另一个顶点位于所述第一电路图案与所述第二电路图案之间的间隔增加的方向上。

7.根据权利要求6所述的电路宽度变细缺陷防止装置,其中,未与所述第一电路图案接触的所述坝的至少一侧与所述第二电路图案平行。

8.根据权利要求1所述的电路宽度变细缺陷防止装置,其中,所述弱部分是在第一电路图案与邻近于所述第一电路图案的垫片之间的位于所述第一电路图案上的第二弱部分。

9.根据权利要求8所述的电路宽度变细缺陷防止装置,其中,所述第二弱部分是所述第一电路图案与所述垫片之间的距离最小的点。

10.根据权利要求9所述的电路宽度变细缺陷防止装置,其中,所述坝具有半圆形形状。

11.根据权利要求10所述的电路宽度变细缺陷防止装置,其中,所述坝的一侧与所述第一电路图案接触,弧形部分面向所述垫片,并且与所述第一电路图案接触的所述侧的一个顶点由位于所述第二弱部分的至少两个半圆形组成。

12.一种通过使用作为与用于形成电路图案的设计相关的数据的第一设计信息和第二设计信息来防止弱部分的电路宽度变细缺陷的防止电路宽度变细缺陷的方法,包括:

弱部分分析步骤:分析所述第一设计信息以推断所述弱部分的类型和所述弱部分的位置;

坝匹配步骤:提取与在所述弱部分分析步骤中推断的所述弱部分的所述类型对应的坝设计信息;以及

设计信息改变步骤:通过改变所述第一设计信息产生所述第二设计信息,以将在所述坝匹配步骤中提取的所述坝设计信息增加至在所述弱部分分析步骤中推断的所述弱部分的所述位置。

13.一种通过使用根据权利要求1至11中任一项所述的电路宽度变细缺陷防止装置来防止弱部分的电路宽度变细缺陷的防止电路宽度变细缺陷的方法,包括:

弱部分分析步骤:分析所述第一设计信息以推断所述弱部分的所述类型和所述弱部分的所述位置;

坝匹配步骤:提取与在所述弱部分分析步骤中推断的所述弱部分的所述类型对应的坝设计信息;以及

设计信息改变步骤:通过改变所述第一设计信息产生所述第二设计信息,以将在所述坝匹配步骤中提取的所述坝设计信息增加至在所述弱部分分析步骤中推断的所述弱部分的所述位置。

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