[发明专利]非易失性存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：

第1布线，在第1方向延伸；

第2布线，在与上述第1方向正交的第2方向延伸，与上述第1布线电连接；

多个第3布线，在与上述第1方向交叉且与上述第2方向正交的第3方向分别延伸，在上述第2布线的两侧，沿着上述第2方向并排设置；

第1存储层，设置在上述多个第3布线中隔着上述第2布线相向的2个第3布线的一方和上述第2布线之间；

第2存储层，设置在上述2个第3布线的另一方和上述第2布线之间，

上述第2布线在与上述第1存储层连接的第1部分和与上述第2存储层连接的第2部分之间具有块部。

2.权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

上述块部包含上述第1部分和上述第2部分连接的界面。

3.权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，

上述第1部分及上述第2部分包含半导体材料，

上述界面是半导体晶体的不连续面。

4.权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，

上述块部在上述界面包含载流子陷阱。

5.权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

上述第1部分及上述第2部分包含第1金属，

上述块部包含功函数比上述第1金属小的第2金属。

6.权利要求5所述的非易失性存储装置，其特征在于，

上述第1金属是氮化钽(TaN)，

上述第2金属是钨(W)。

7.权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

上述第2布线包含半导体，

上述块部的杂质浓度比上述第1部分及上述第2部分低。

8.权利要求7所述的非易失性存储装置，其特征在于，

上述第2布线包含多晶硅。

9.权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

上述第1部分及上述第2部分包含第1半导体，

上述块部包含带隙比上述第1半导体宽的第2半导体。

10.权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

上述第1存储层及上述第2存储层包含在第1状态和比上述第1状态低阻抗的第2状态之间可逆地迁移的阻抗变化材料。

11.权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

还具备在上述第1方向并排设置的多个第2布线，

上述2个第3布线的一方具有：在上述第1方向并排设置的上述第2布线间沿着上述第3方向延伸的多个第1延伸部；电收束上述多个第1延伸部的第1共用部，

上述2个第3布线的另一方具有：上述多个第2布线间沿着上述第3方向延伸的多个第2延伸部；电收束上述多个第2延伸部的第2共用部，

在各个的上述第2布线的两侧，设置上述多个第1延伸部的一个和上述多个第2延伸部的一个，

上述多个第1延伸部的一个和上述多个第2延伸部的一个隔着上述第2布线相向。

12.权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

还具备在上述第2方向层叠的多个第3布线，

上述块部沿着上述第2方向在上述第2布线中延伸，

上述第1布线侧的上述块部的端和上述第1布线侧的上述第2布线的端的间隔，比在上述第2方向层叠的上述第3布线中最接近上述第1布线的第3布线和上述第2布线的上述端的间隔窄。

13.权利要求12所述的非易失性存储装置，其特征在于，

在上述第2方向层叠的上述第3布线中最接近上述第1布线的第3布线的底面和上述第2布线的上述端的间隔，比在上述第2方向层叠的第3布线中的上述第2方向相邻的2个第3布线的间隔宽。

14.权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，

上述第1存储层在与上述第2布线连接的部分具有第1整流层，

上述第2存储层在与上述第2布线连接的部分具有第2整流层。