[发明专利]一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法在审

申请号：	201310742921.0	申请日：	2013-12-30
公开（公告）号：	CN104752155A	公开（公告）日：	2015-07-01
发明（设计）人：	赵福;陈思奇;顾文彬;沈佳;周旭波	申请（专利权）人：	美新半导体（无锡）有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02
代理公司：	无锡互维知识产权代理有限公司 32236	代理人：	庞聪雅
地址：	214000 江苏省无锡***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种去除 ibe 刻蚀图形边缘粘附光刻方法
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【权利要求书】：

1.一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其特征在于：采用IBE刻蚀对基片表面没有光刻胶覆盖的区域进行刻蚀形成所需图形，对该刻蚀后的基片首先进行烘烤以蒸发掉光刻胶溶剂，然后再对基片依次重复进行冷却、烘烤，然后再使用氧离子对光刻胶表面进行轰击，最后将所述圆片浸入去胶药液中去除图形边缘粘附物和光刻胶。

2.根据权利要求1所述的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其特征在于：其具体包括如下步骤：

步骤一：采用IBE刻蚀对基片表面没有光刻胶覆盖的区域进行刻蚀形成所需图形；

步骤二：对步骤一刻蚀后的基片进行烘烤，蒸发掉光刻胶溶剂，光刻胶图形收缩；

步骤三：对经步骤二后的基片进行冷却处理，使得光刻胶图形进一步收缩；

步骤四：对经步骤三后的基片继续烘烤，再使得光刻胶膨胀；

步骤五：重复上述步骤三至四；

步骤六：使用氧离子对经步骤五后的光刻胶进行表面轰击，以去除由于IBE刻蚀后硬化部分光刻胶；

步骤七：将经步骤六后的基片浸泡于去胶药液中，并超声震荡，去除粘附物和光刻胶。

3.根据权利要求1所述的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其特征在于：所述基片为晶圆圆片。

4.根据权利要求1所述的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其特征在于：所述基片还包括芯片或者需要涂覆光刻胶的薄膜。

5.根据权利要求2所述的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其特征在于：所述步骤五中，重复的次数至少为两次。

6.根据权利要求2所述的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其特征在于：所述步骤三中光刻胶收缩的程度大于所述步骤二中光刻胶收缩的程度。