[发明专利]一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法

说明书

技术领域

本发明是关于半导体领域，尤其涉及一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法。

背景技术

IBE（离子束刻蚀）刻蚀是一种纯物理的干法刻蚀，其原理是使用轰击性粒子对没有光刻胶（Photoresist）保护区域进行轰击，反应生成物由机器内部泵抽走，但是在轰击过程中，靠近图形光刻胶边缘的部分轰击后产生的生成物会粘附在光刻胶图形的侧壁上形成fence（粘附物），机器无法抽走，越靠近光刻胶图形侧壁的底部，粘附物越厚，IBE刻蚀时间越长，粘附物越厚。这对于刻蚀后光刻胶去除以及图形定义都是有弊端的。

传统的工艺通常做法是：a.在光刻胶去除后使用刷子或者高压水对图形边缘粘附物进行物理性的擦除或者冲击，最终通过冲水、甩干达到去除粘附物的效果。现在很多半导体制造朝着二维方向发展，不光纯平面有图形，在凹坑、斜坡等非平面也是有图形的，所以传统的去除粘附物方法覆盖不到此类位置中图形，从而影响了去除粘附物及光刻胶的效果，影响了图形质量。此外，由于采用物理去除方法进行粘附物去除，可能引入二次玷污；b.采用一些腐蚀性液体对IBE刻蚀后wafer进行清洗，但是此类方法会影响到正常图形也被清洗腐蚀到，且很大一部分粘附物是一种混合物，纯粹一些腐蚀性液体不能去除干净，最终影响图形质量。

因此，有必要对现在技术做进一步的改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其能够有效的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶，不会造成二次污染，并且保证了图形质量，本发明的方法可以适用于任何材质的粘附物去除，也可以用于圆片（wafer）表面任何图形的粘附物，同时也可以适用于非平面图形的粘附物去除。

为达成前述目的，本发明一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其包括：采用IBE刻蚀对基片表面没有光刻胶覆盖的区域进行刻蚀形成所需图形，对该刻蚀后的基片首先进行烘烤以蒸发掉光刻胶溶剂，然后再对基片依次重复进行冷却、烘烤，然后再使用氧离子对光刻胶表面进行轰击，最后将所述圆片浸入去胶药液中去除图形边缘粘附物和光刻胶。

作为本发明一个优选的实施例，其具体包括如下步骤：

步骤一：采用IBE刻蚀对基片表面没有光刻胶覆盖的区域进行刻蚀形成所需图形；

步骤二：对步骤一刻蚀后的基片进行烘烤，蒸发掉光刻胶溶剂，光刻胶图形收缩；

步骤三：对经步骤二后的基片进行冷却处理，使得光刻胶图形进一步收缩；

步骤四：对经步骤三后的基片继续烘烤，再使得光刻胶膨胀；

步骤五：重复上述步骤三至四；

步骤六：使用氧离子对经步骤五后的光刻胶进行表面轰击，以去除由于IBE刻蚀后硬化部分光刻胶；

步骤七：将经步骤六后的基片浸泡于去胶药液中，并超声震荡，去除粘附物和光刻胶。

作为本发明一个优选的实施例，所述基片为晶圆圆片。

作为本发明一个优选的实施例，所述基片还包括芯片或者需要涂覆光刻胶的薄膜。

作为本发明一个优选的实施例，所述步骤五中，重复的次数至少为两次。

作为本发明一个优选的实施例，所述步骤三中光刻胶收缩的程度大于所述步骤二中光刻胶收缩的程度。

作为本发明一个优选的实施例，所述步骤四中的烘烤温度大于或等于所述步骤二中的烘烤温度。

本发明的有益效果：与现有技术相比，本发明一种去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶的方法，其能够有效的去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶，不会造成二次污染，并且保证了图形质量，本发明的方法可以适用于任何材质的粘附物去除，也可以用于圆片表面任何图形的粘附物，同时也可以适用于非平面图形的粘附物去除。

附图说明

图1为本发明方法的工艺流程图；

图2是本发明步骤一刻蚀后得到的图形结构；

图3是本发明步骤二和三烘烤、冷却后形成的光刻胶图形示意图；

图4是本发明步骤四继续烘烤后形成的光刻胶图形示意图；

图5是本发明步骤一至七后去除IBE刻蚀后图形边缘粘附物及光刻胶示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细说明。

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。