[发明专利]一种有机电致发光显示器件、其制备方法及显示装置在审
申请号: | 201310743031.1 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103681773A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 任章淳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示 器件 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种有机电致发光显示器件,包括衬底基板,以及位于所述衬底基板上的薄膜晶体管和有机电致发光结构;其中,所述薄膜晶体管包括相互绝缘的栅电极和有源层,以及与所述有源层分别电性连接的源电极和漏电极;所述有机电致发光结构包括依次层叠设置的阳极、发光层和阴极,所述阳极与所述漏电极电性连接,其特征在于:
所述阳极与所述有源层同层设置,所述有源层的材料为透明氧化物半导体材料,所述阳极的材料为所述透明氧化物半导体材料经过等离子体处理后的材料。
2.如权利要求1所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,在所述薄膜晶体管中:所述有源层位于所述栅电极的上方;在所述有源层和所述栅电极之间还设置有栅极绝缘层;
所述源电极和所述漏电极均位于所述有源层的上方。
3.如权利要求1所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,在所述薄膜晶体管中:
所述栅电极位于所述有源层的上方;在所述有源层和所述栅电极之间还设置有栅极绝缘层;
所述源电极和所述漏电极均位于所述有源层与所述衬底基板之间。
4.如权利要求1所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,在所述薄膜晶体管中:
所述栅电极位于所述有源层的上方;在所述有源层和所述栅电极之间还设置有栅极绝缘层;
所述源电极和所述漏电极均位于所述栅电极的上方,且所述源电极和所述漏电极通过过孔与所述有源层连接。
5.如权利要求2所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,所述有机电致发光结构中的发光层发白光,所述显示器件还包括:彩色滤光片,所述彩色滤光片位于所述有机电致发光结构的上方,或位于所述栅极绝缘层与所述有机电致发光结构之间。
6.如权利要求3或4所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,所述有机电致发光结构中的发光层发白光,所述显示器件还包括:彩色滤光片,所述彩色滤光片位于所述有机电致发光结构之上,或位于所述有机电致发光结构之下。
7.如权利要求2或5所述的有机电致发光显示器件,其特征在于,还包括:金属反射层,所述金属反射层位于与所述有机电致发光结构对应的区域,且所述金属反射层与所述栅电极同层同材质。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的有机电致发光显示器件。
9.一种如权利要求1-7任一项所述有机电致发光显示器件的制备方法,包括在衬底基板上形成包括薄膜晶体管和有机电致发光结构的图形,其特征在于:
采用一次构图工艺形成所述薄膜晶体管中有源层和所述有机电致发光结构中阳极的图形;
并对所述阳极的图形进行等离子体处理。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形,具体包括:
在衬底基板上形成栅电极的图形,在形成有所述栅电极的衬底基板上形成有源层的图形,在形成有所述有源层的衬底基板上形成源电极和漏电极的图形;其中,
在形成所述薄膜晶体管中栅电极的图形的同时,在与所述有机电致发光结构对应的区域形成金属反射层的图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的