[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括透光区和非透光区，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极，其中至少部分位于所述非透光区的所述公共电极厚度大于位于所述透光区的所述公共电极的厚度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极为透明导电层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括基板；位于所述基板上的薄膜晶体管、数据线和信号线；覆盖薄膜晶体管、数据线和信号线的平坦层、公共电极位于平坦层上，位于公共电极上的绝缘层、位于绝缘层上的像素电极，所述像素电极包括多个条形电极。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线位于所述公共电极下方，所述数据线和所述公共电极之间由绝缘层隔开。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极包括基准层和增厚部，增厚部位于基准层远离阵列基板一侧的表面，且基准层和增厚部一体成型，其中公共电极基准层位于所述透光区，公共电极增厚部位于所述非透光区。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透光区的所述公共电极的厚度为至所述非透光区的所述公共电极厚度为至

7.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；所述非透光区公共电极的位置正对所述彩膜基板上的黑矩阵的位置。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括黑矩阵、透光区、公共电极，其中至少部分位于所述黑矩阵区的所述公共电极厚度大于位于所述透光区的所述公共电极的厚度。

9.一种显示装置，其特征在于，所述装置包括权利要求7-8任一权项所述的显示面板。

10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底包括透光区和非透光区；

在所述基底上沉积金属氧化物薄膜；

将所述金属氧化物薄膜通过构图工艺形成位于所述非透光区的公共电极与位于所述透光区的公共电极；其中至少部分位于所述非透光区的公共电极厚度大于位于所述透光区的公共电极的厚度。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，将所述金属氧化物薄膜通过构图工艺形成所述非透光区的公共电极与所述透光区的公共电极，包括：

在所述金属氧化物薄膜上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影，暴露出部分所述金属氧化物薄膜；

刻蚀所述金属氧化物薄膜；

去除光刻胶，形成位于所述非透光区的公共电极与位于所述透光区的公共电极；其中至少部分位于所述非透光区的公共电极厚度大于位于所述透光区的公共电极的厚度。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述金属氧化物薄膜，包括：

对所述金属氧化物薄膜进行干法刻蚀；或对所述金属氧化物薄膜进行湿法刻蚀。