[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）薄膜是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。它是液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及其它电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。现有技术中液晶显示器中公共电极的材料为ITO薄膜，对于边缘场面内转动（Fringe Field Switching，FFS）模式的液晶显示器，其公共电极ITO整面的厚度一般设置为如图1所示，公共电极ITO通过面板内均匀分布的接触孔10与位于像素边缘的金属公共电极11连接。

如图2所示，在阵列基板侧的像素电极21和公共电极22的材料均为ITO，其中公共电极ITO整面的厚度为20表示位于阵列基板和彩膜基板23之间的液晶，彩膜基板包括红色的彩膜层230、绿色的彩膜层231和蓝色的彩膜层232以及黑矩阵24。

针对高解析度（Pixel Per Inch，PPI）的设计，为了增大开口率，会减细金属公共电极的宽度，并去掉面板上设置的接触孔，这样会使得公共电极ITO的电阻增加，会使液晶面板抗串扰和抗闪烁的性能变差。

综上所述，现有技术中公共电极ITO的电阻较大，液晶面板抗串扰和抗闪烁的性能较差。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

本发明提供的一种阵列基板，包括透光区和非透光区，所述阵列基板还包括公共电极，其中至少部分位于非透光区的公共电极厚度大于位于透光区的公共电极的厚度。

本发明还提供了一种显示面板，包括：彩膜基板，及上述的阵列基板，其中，当该阵列基板与彩膜基板对盒后，所述非透光区公共电极的位置正对该彩膜基板上的黑矩阵的位置。

本发明还提供了一种显示装置，该装置包括上述的显示面板。

本发明还提供了一种阵列基板的制备方法，所述方法包括公共电极的制备，具体为：

提供一基底，所述基底包括透光区和非透光区；

在所述基底上沉积金属氧化物薄膜；

将所述金属氧化物薄膜通过构图工艺形成位于所述非透光区的公共电极与位于所述透光区的公共电极；其中至少部分位于所述非透光区的公共电极厚度大于位于所述透光区的公共电极的厚度。

由本发明提供的上述阵列基板和显示面板，将位于非透光区的公共电极和位于透光区的公共电极的厚度设置为不相等的厚度，同时将至少部分位于非透光区的公共电极厚度设置为大于位于透光区的公共电极的厚度，可以降低整面公共电极的电阻，由于所述非透光区公共电极的位置正对该彩膜基板上的黑矩阵的位置，而被黑矩阵遮挡的位置是不发光的，当该显示面板包括上面所述的阵列基板时，可以很好的降低整面公共电极的电阻，改善串扰和闪烁，同时提升光的穿透率。

附图说明

图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为现有技术提供的一种显示面板的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的膜层堆叠结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法流程图；

图6为本发明实施例提供的一种阵列基板中的公共电极薄膜通过构图工艺形成非透光区的公共电极与透光区的公共电极的方法流程图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，用以降低公共电极的电阻，改善串扰和闪烁，同时提升光的穿透率。

下面给出本发明实施例提供的技术方案的详细介绍。

本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括透光区和非透光区，这里的非透光区指像素周边的布线区以及存储电容的非透光区域，该阵列基板还包括本发明具体实施例提供的公共电极，该公共电极为透明导电膜，公共电极的材料一般选用金属氧化物导电薄膜，优选ITO透明导电薄膜，本发明实施例提供的公共电极ITO位于透光区和非透光区的厚度不相等，其中至少部分位于非透光区的公共电极ITO厚度大于位于透光区的公共电极ITO的厚度。