[发明专利]陶瓷电子部件及其制造方法在审
申请号: | 201310743848.9 | 申请日: | 2011-04-29 |
公开(公告)号: | CN103762075A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 西坂康弘;真田幸雄;佐藤浩司;松本诚一 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/232 | 分类号: | H01G4/232 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种陶瓷电子部件,包括:
包括第一和第二主面、第一和第二侧面、以及第一和第二端面的陶瓷基体;
至少位于所述第一和第二主面的预定区域的基底电极层;以及
至少位于所述基底电极层上的镀膜,其中,
各个所述基底电极层包括金属和陶瓷结合材料,
各个所述镀膜包括热处理后的材料,所述热处理后的材料包括Cu和来自各个所述基底电极层的所述金属。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述基底电极层仅位于所述预定区域。
3.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述镀膜位于所述第一和第二端面的预定区域。
4.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述镀膜位于所述第一和第二侧面的预定区域。
5.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述基底电极层还位于所述第一和第二端面的预定区域。
6.根据权利要求4所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述镀膜还位于所述第一和第二端面上的所述基底电极层上。
7.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述基底电极层还位于所述第一和第二侧面的预定区域。
8.根据权利要求6所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述镀膜还位于所述第一和第二侧面上的所述基底电极层上。
9.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述陶瓷电子部件的厚度为大约0.15mm。
10.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述陶瓷基体的尺寸满足以下公式:
T≤W<L,
(1/5)W≤T≤(1/2)W,以及
T≤0.3mm,
其中,T是所述陶瓷基体的厚度尺寸,L是所述陶瓷基体的长度尺寸,以及W是所述陶瓷基体的宽度尺寸。
11.根据权利要求10所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述陶瓷基体的尺寸满足以下公式:
0.1mm≤T≤0.3mm,
0.4mm≤L≤1mm,以及
0.2mm≤W≤0.5mm。
12.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件,其特征在于,
所述基底电极层和所述陶瓷基体具有相同或实质相同的收缩举动。
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