[发明专利]陶瓷电子部件及其制造方法

说明书

本申请是申请日为2011年4月29日、申请号为201110114220.3、发明名称为“陶瓷电子部件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种陶瓷电子部件及其制造方法。特别地，本发明涉及一种可优选作为嵌入布线基板中使用的嵌入型陶瓷电子部件而使用的陶瓷电子部件及其制造方法。

背景技术

近年来，随着便携式电话和便携式音乐播放器等电子设备的小型化和薄型化，搭载在电子设备中的布线基板的小型化正在被推进。

作为使布线基板小型化的方法，例如在下述的专利文献1中提案有，将陶瓷电子部件嵌入布线基板的内部，并且利用形成在陶瓷电子部件之上的通孔(via hole)导体构成向陶瓷电子部件的布线的方法。根据此方法，不仅不需要确保在布线基板的表面上配置陶瓷电子部件的区域，而且不需要区别于设置陶瓷电子部件的区域，另外确保设置向陶瓷电子部件的布线的区域。因此，能使得部件内置布线基板小型化。

陶瓷电子部件连接用的通孔，例如使用CO₂激光器等的激光器来形成。在使用激光器形成通孔的情况下，激光会被直接照射到陶瓷电子部件的外部电极上。为此，优选外部电极具有以高的反射率反射激光的Cu镀膜。这是因为，如果外部电极对激光的反射率低，则激光一直达到陶瓷电子部件的内部，常常会损伤陶瓷电子部件。

专利文献1：JP特开2002-100875号公报

发明内容

但是，对于嵌入布线基板的内部的陶瓷电子部件，基于减薄布线基板的厚度的观点，强烈要求其低背化(low profile)。

作为使陶瓷电子部件低背化的方法，优选通过将外部电极中位于陶瓷基体的正上方的基底电极层与包含内部电极的陶瓷基体同时进行焙烧、即共同烧制(co-fire：コフアイア)来形成。这是因为，这样相比例如通过烧结由浸渍所涂敷的导电膏来形成基底电极层的情况，能减小基底电极层的最大厚度。

但是，在通过共同烧制来形成基底电极层的时候，为了确保陶瓷基体和基底电极层之间的高的密合性，而必须增多陶瓷材料等的陶瓷粘合材料在基底电极层中的含量。但是，如果增多基底电极层中的陶瓷粘合材料的含量，则基底电极层中的金属成分的含量就会减少。为此，基底电极层、和形成在基底电极层之上的镀膜之间的密合性就会下降。因此，存在电子部件的可靠性会下降这样的问题。

鉴于这样的问题点进行本发明，其目的在于，提供一种具有高可靠性的陶瓷电子部件，该陶瓷电子部件包括外部电极，该外部电极具有：形成在陶瓷基体之上的基底电极层、和形成在基底电极层之上的Cu镀膜。

本发明的陶瓷电子部件包括：陶瓷基体和外部电极。外部电极被形成在陶瓷基体之上。外部电极具有：基底电极层、和第一Cu镀膜。基底电极层被形成在陶瓷基体之上。第一Cu镀膜被形成在基底电极层之上。基底电极层包含：能扩散进Cu中的金属、和陶瓷结合材料。在第一Cu镀膜的至少基底电极层侧的表层中扩散有能扩散进Cu中的金属。

根据本发明的陶瓷电子部件的某一特定方面，在第一Cu镀膜中存在有晶界(grain boundary)。能扩散进Cu中的金属沿第一Cu镀膜的晶界扩散。

根据本发明的陶瓷电子部件的另一特定方面，能扩散进Cu中的金属，一直扩散到第一Cu镀膜的与基底电极层相反侧的表面。根据此结构，可进一步提高第一Cu镀膜和基底电极层之间的密合性。

根据本发明的陶瓷电子部件的再一特定方面，能扩散进Cu中的金属是从由Ni、Ag、Pd、及Au组成的组中选出的一种以上的金属。

根据本发明的陶瓷电子部件的再又一特定方面，外部电极还具有形成在第一Cu镀膜之上的第二Cu镀膜，在第二Cu镀膜中未扩散有能扩散进Cu中的金属。在此结构中，由于设置有能扩散进Cu中的金属未进行扩散的第二Cu镀膜，所以可进一步提高射入外部电极中的激光在外部电极中的反射率。为此，即使在激光照射到外部电极的情况下，也很难损伤陶瓷基体。因此，可优选作为嵌入型陶瓷电子部件使用。

根据本发明的陶瓷电子部件的还再一特定方面，Cu从第一Cu镀膜扩散进基底电极层中。此情况下，可进一步提高基底电极层和第一Cu镀膜之间的密合性。