[发明专利]PTC发热片、以及低温辐射电热膜及其制备方法

权利要求书

1.一种PTC发热片，包括一基材和复合于所述基材两侧的导电极，其特征在于，所述导电极采用铜箔，所述铜箔一面形成复数个凸起构成粗糙面，所述铜箔通过所述粗糙面热压合固定于所述基材上。

2.根据权利要求1所述的PTC发热片，其特征在于：构成所述基材的质量百分比组分为：

3.根据权利要求2所述的PTC发热片，其特征在于：所述导电填料采用碳黑；所述无机填料采用氢氧化镁。

4.根据权利要求3所述的PTC发热片，其特征在于：所述铜箔的宽度为5-15mm。

5.一种基于权利要求1-4任一项所述的PTC发热片的低温辐射电热膜，其特征在于：包括所述PTC发热片、温控器和热压固定于所述PTC发热片两面的绝缘膜；所述PTC发热片的导电极连接有导线，所述导线连接有防水插头，所述温控器连接于所述导线上。

6.根据权利要求5所述的低温辐射电热膜，其特征在于：所述温控器通过一连接线连接于一温度控制中心。

7.根据权利要求5或6所述的低温辐射电热膜，其特征在于：所述绝缘膜涂布有胶层，并通过所述胶层热压固定于所述PTC发热片上。

8.根据权利要求9所述的低温辐射电热膜，其特征在于：所述胶层采用热熔胶或不干胶。

9.根据权利要求8所述的低温辐射电热膜，其特征在于：所述绝缘膜采用聚酯膜、聚丙烯膜或聚酰胺膜。

10.根据权利要求9所述的低温辐射电热膜，其特征在于：所述防水插头采用快接插头。

11.一种基于权利要求10所述的低温辐射电热膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1：按照高密度聚乙烯50～70%、导电填料20～40%、无机填料5～10%和偶联剂0.1～0.5%的质量百分比比例称取各组分并高速混合，获得混合物料；

S2：将所述混合物料通过单螺杆的T型模口挤出，获得挤出物料；

S3：将所述挤出物料通过压延机压成固定厚度并将其两边缘裁平，获得一片材；

S4：通过四辊压机将所述片材、所述铜箔和所述绝缘膜压合在一起；

S5：冷却收卷；

S6：按需求裁切成所需长度；

S7：安装导线、防水插头并在导线上安装温控器。

12.根据权利要求11所述的低温辐射电热膜的制备方法，其特征在于，在所述高速混合步骤前先将称取的所述高密度聚乙烯磨成粉料；

所述高速混合步骤具体为：将所述各组分通过一高速混合机双螺杆剪切熔融共混10分钟。

13.根据权利要求12所述的低温辐射电热膜的制备方法，其特征在于，所述导电填料采用碳黑；所述无机填料采用氢氧化镁。

14.根据权利要求13所述的低温辐射电热膜的制备方法，其特征在于，所述S2步骤中，所述混合物料在150～220℃温度下挤出。

15.根据权利要求14所述的低温辐射电热膜的制备方法，其特征在于，所述S3步骤中，所述挤出物料在150℃温度下压延。

16.根据权利要求15所述的低温辐射电热膜的制备方法，其特征在于，所述S4步骤具体包括：

将所述铜箔设置于所述片材一面的两侧，且所述铜箔的粗糙面抵靠所述片材；

将两所述绝缘膜涂覆热熔胶并覆盖于所述片材和所述铜箔外；

将所述片材、所述铜箔和所述绝缘膜通过四辊压机在150℃下热压合。

17.根据权利要求16所述的低温辐射电热膜的制备方法，其特征在于，所述S7步骤中，所述安装导线步骤具体包括：

通过铆钉将所述导线与所述铜箔连接；

在所述导线与所述铜箔的连接处外部包裹绝缘胶带与铝箔。