[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器件

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板和多个像素单元，所述多个像素单元位于所述衬底基板上，所述像素单元包括依次层叠的第一电极、第一绝缘层和第二电极；

其中，所述第一电极具有开口，所述第一电极的下方形成有一辅助电极，所述第二电极的形状为V形，所述V形的拐角在垂直衬底基板方向上的投影落在所述开口的图形中。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极与所述第二电极的距离大于所述第一电极与所述第二电极的距离。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开口的图形在垂直衬底基板方向上的投影完全落在所述辅助电极的图形内。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开口为至少一个过孔，所述过孔的形状为轴对称图形。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开口为一狭缝，所述狭缝的形状为轴对称图形。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极的形状为轴对称图形，所述辅助电极的厚度小于等于1000埃，所述辅助电极的宽度范围在2.5μm到7μm之间。

7.一种液晶显示器件，其特征在于，包括：彩膜基板、液晶层和如权利要求1至6中任一项所述的阵列基板；所述液晶层位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上形成辅助电极；

在所述辅助电极和未被辅助电极覆盖的第三绝缘层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成第一电极，所述第一电极具有开口；

在所述第一电极以及第一电极的开口上形成第一绝缘层；以及

在所述第一绝缘层上形成多个第二电极，所述第二电极的形状为V形；

其中，所述V形的拐角在垂直衬底基板方向上的投影落在所述开口的图形中。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第三绝缘层上形成辅助电极的方法包括：

在所述第三绝缘层上沉积辅助电极金属层；

对所述辅助电极金属层进行刻蚀形成辅助电极，所述辅助电极的形状为轴对称图形。

10.如权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上形成第一电极的方法包括：

在所述第二绝缘层上沉积第一导电层；

刻蚀所述第一导电层形成第一电极；

对所述第一电极进行刻蚀形成至少一个过孔，所述至少一个过孔作为所述第一电极的开口，所述过孔的形状为轴对称图形，所述过孔的对称轴均在同一条直线上，所述过孔的图形在垂直衬底基板方向上的投影完全落在所述辅助电极的图形内。

11.如权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上形成第一电极的方法包括：

在所述第二绝缘层上沉积第一导电层；

刻蚀所述第一导电层形成第一电极；

对所述第一电极进行刻蚀形成一轴对称形状的狭缝，所述狭缝作为所述第一电极的开口，所述狭缝的图形在垂直衬底基板方向上的投影完全落在所述辅助电极的图形内。

12.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在提供衬底基板之后，形成第三绝缘层之前，还包括：在所述衬底基板上形成第四绝缘层。