[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法和采用所述阵列基板的液晶显示器件。

背景技术

IPS模式和FFS模式是常见的液晶显示模式，IPS模式和FFS模式的主要特点是正负电极均设置于同一个基板，液晶分子均在平行于基板的面内旋转，因此各个方向上的光均能够穿过液晶分子的短轴，实现宽视角的目的。同时，由于IPS模式和FFS模式的液晶分子是水平排列，液晶分子的偏转速度较传统的垂直排列要快，因此IPS模式和FFS模式的液晶显示器件的反应速度更快。由于IPS模式和FFS模式的液晶显示器件具有如此优异的性能，因此在众多领域都得到广泛应用，比如家电、传媒、航天和医疗等行业。

目前，IPS模式和FFS模式的液晶显示器件已经普遍采用双畴技术（Two domain）。双畴技术（Two domain）的视角要比传统的单畴技术（one domain）更宽，能够满足用户日益提高的品质要求。

请参考图1，其为现有技术的采用双畴技术的阵列基板的部分平面图。如图1所示，所述阵列基板10上设置有多个V形的像素电极11，所述像素电极11具有对称设置并相互连接的两条侧边，液晶分子50排列于所述像素电极11上，由于所述像素电极11的两条侧边的方向是不同的，因此排布于所述像素电极11上的液晶分子50之间能够相互补偿，从而提高大视角的光学性能。同时，由于液晶分子之间具有自我补偿效果，因此不再需要通过偏光片来实现光学补偿。在液晶显示器件的制造过程中可以采用更加薄型的偏光片，以满足市场对于薄型化的需求。

然而，双畴技术（Two domain）也存在一些缺陷，例如向错(disclination)和按压不均（trace mura）。如图1所示，所述多个像素电极11的位置可以分为A区、B区和C区，其中，A区位于所述像素电极11的拐角位置，即所述像素电极11的两侧侧边的交界处，B区邻近所述交界处，C区远离所述交界处。由于A区位于所述像素电极11的两条侧边的交界处，所述像素电极11的两条侧边对于该处的液晶分子50的作用力是对称的。如图2所示，位于A区的液晶分子分别受到所述像素电极11的两条侧边所施加的作用力（图中虚线箭头所示方向），其所受到的合力（图中实线箭头所示方向）与所述液晶分子的长轴相互垂直，因此该处的液晶分子无法转动，也就是说，该处的液晶分子不能起到应有的改变光线的偏振方向的作用，因此该处的光线无法透过，A区一直显示有一条暗线。

所述像素电极11的两条侧边对于位于B区的液晶分子的作用力虽然是不对称的，但是由于靠近交界处A，所以该处的液晶分子也很难转动。如图3所示，位于B区的液晶分子同样分别受到所述像素电极11的两条侧边所施加的作用力（图中虚线箭头所示方向），其所受到的合力（图中实线箭头所示方向）除了与所述液晶分子的长轴相互垂直的分量之外，也存在微弱的水平分量，但是由于水平分量的作用力太过微弱，该处的液晶分子转动非常困难，因此，在B区会出现黑区，A区的暗线因此而变粗，即所谓的向错(disclination)现象。C区的液晶分子由于远离交界处A，所述像素电极11的两条侧边对于C区的液晶分子的作用力明显不对等，该处的液晶分子容易转动，因此能够正常显示。

同时，由于A区和B区的液晶分子转动困难，一旦受到按压所述液晶分子也难以回复，所以出现按压不均（trace mura）。

因此，如何解决现有的IPS模式和FFS模式的液晶显示器件所存在的向错和按压不均现象，成为本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板和多个像素单元，所述多个像素单元位于所述衬底基板上，所述像素单元包括依次层叠的第一电极、第一绝缘层和第二电极；

其中，所述第一电极具有开口，所述第一电极的下方形成有一辅助电极，所述第二电极的形状为V形，所述V形的拐角在垂直衬底基板方向上的投影落在所述开口的图形中。

相应的，本发明还提供了一种液晶显示器件，所述液晶显示器件包括：彩膜基板、液晶层和如上所述的阵列基板；所述液晶层位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间。

相应的，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板的制造方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上形成辅助电极；

在所述辅助电极和未被辅助电极覆盖的第三绝缘层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成第一电极，所述第一电极具有开口；