[发明专利]对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方法

权利要求书

1.一种对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方法，其特征在于，包括：

获取至少一晶元上若干芯片的电性测试中各测试项的测试结果；

根据上述测试结果获取该晶元对应的每个测试项的良率损失；

根据该晶元对应的每个测试项的良率损失对各测试项进行相关性分析；

根据各测试项是否相关将上述所有测试项进行分组；

寻找每组中良率损失最严重的测试项；

对良率损失最严重的测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析，若该测试项与所用工艺参数均不相关，则芯片所具有的与工艺水平不相称良率不属于特殊的、系统性的问题。

2.根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，所述若干芯片包括电性测试中至少一测试项测试结果极端的芯片。

3.根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，若测试项与工艺参数的相关系数小于0.3，则该测试项与该工艺参数不相关。

4.根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，良率损失通过计算获取，且每个芯片的各测试项的测试结果采用若某个测试项不合格，仍继续测试其余测试项的方法。

5.根据权利要求4所述的分类方法，其特征在于，各测试项的测试结果为“0”或“1”。

6.根据权利要求4所述的分类方法，其特征在于，各测试项的测试结果为具体数值。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的分类方法，其特征在于，在测试项与工艺参数的相关系数的3sigma区间内，若该测试项的良率损失小于1%，则该测试项与该工艺参数不相关。

8.根据权利要求4所述的分类方法，其特征在于，寻找每组中良率损失最严重的测试项后，若该组中最严重良率损失小于1%，放弃对该组的测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析。

9.根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，获取良率损失中，每个芯片的各测试项的测试结果采用若某个测试项不合格，停止继续测试其余测试项的方法。

10.根据权利要求9所述的分类方法，其特征在于，各测试项的测试结果为该测试项对应的该晶元的良率损失。

11.根据权利要求9或10所述的分类方法，其特征在于，在测试项与工艺参数的相关系数的3sigma区间内，若该测试项的良率损失小于0.5%，则该测试项与该工艺参数不相关。

12.根据权利要求9所述的分类方法，其特征在于，寻找每组中良率损失最严重的测试项后，若该组中最严重良率损失小于0.5%，放弃对该组的测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析。

13.根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，获取测试结果后，还包括：

对制作芯片所用各工艺参数之间进行相关性分析；

根据各工艺参数是否相关将上述所有工艺参数进行分组；

其中，测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析中，所用工艺参数是每组中的一个工艺参数。

14.根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，所述电性测试的各测试项包括：缓存功能测试、显存速度测试。

15.根据权利要求1所述的分类方法，其特征在于，所述制作芯片所用工艺参数包括：显影后关键尺寸、刻蚀后关键尺寸、源漏区离子注入浓度、牺牲氧化层厚度。