[发明专利]对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方法。

背景技术

半导体制造领域，良率对于量产后的产品（至少包括一芯片）至关重要。其中，良率主要分两种：一是与工艺水平相称的良率，另外一种是与工艺水平不相称的良率。若存在与工艺水平不相称的良率，则生产商会考虑该良率较低是否是特殊的、系统性的问题，若是，则会投入大量人力物力用于针对该产品的良率提高。若不是，则会按照该生产线上其它产品类似的方法整体提高产品的良率。

现有技术中，某个产品的良率获得是通过缺陷密度（Defect Density，D0）计算得到的。与相同生产线上同类型其它产品比较，若该产品的缺陷密度相对较大，则认为该产品存在特殊的、系统性的问题。这种与其它产品相比较判断产品是否存在特殊的、系统性的问题会存在一些问题。其一，这种比较忽略了各产品的特殊性，因而并不准确。其二，有些情况下，并没有同生产线的同型产品做参考。其三，该做参考的通型产品缺陷密度本身就有问题，即参考产品本身对是否存在特殊的、系统性的问题有误判。

基于上述缺陷，对具有与工艺水平不相称良率的芯片进行分类时，很可能出现误判断，将由例如产品本身存在缺陷、设计不够完善等等造成的良率过低归为特殊的、系统性的问题，这会造成生产商花大量人力物力对该产品的良率进行提高时效果不大。

因而，半导体行业亟需一种能准确对具有与工艺水平不相称良率的芯片进行分类的方法。

发明内容

本发明实现的目的是更准确对具有与工艺水平不相称良率的芯片进行分类。

为实现上述目的，本发明提供一种对具有与工艺水平不相称良率的芯片的分类方法，包括：获取至少一晶元上若干芯片的电性测试中各测试项的测试结果；根据上述测试结果获取该晶元对应的每个测试项的良率损失；根据该晶元对应的每个测试项的良率损失对各测试项进行相关性分析；根据各测试项是否相关将上述所有测试项进行分组；寻找每组中良率损失最严重的测试项；对良率损失最严重的测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析，若该测试项与所用工艺参数均不相关，则芯片所具有的与工艺水平不相称良率不属于特殊的、系统性的问题。

可选地，所述若干芯片包括电性测试中至少一测试项测试结果极端的芯片。

可选地，若测试项与工艺参数的相关系数小于0.3，则该测试项与该工艺参数不相关。

可选地，良率损失通过计算获取，且每个芯片的各测试项的测试结果采用若某个测试项不合格，仍继续测试其余测试项的方法。

可选地，各测试项的测试结果为“0”或“1”。

可选地，各测试项的测试结果为具体数值。

可选地，在测试项与工艺参数的相关系数的3sigma区间内，若该测试项的良率损失小于1%，则该测试项与该工艺参数不相关。

可选地，寻找每组中良率损失最严重的测试项后，若该组中最严重良率损失小于1%，放弃对该组的测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析。

可选地，获取良率损失中，每个芯片的各测试项的测试结果采用若某个测试项不合格，停止继续测试其余测试项的方法。

可选地，各测试项的测试结果为该测试项对应的该晶元的良率损失。

可选地，在测试项与工艺参数的相关系数的3sigma区间内，若该测试项的良率损失小于0.5%，则该测试项与该工艺参数不相关。

可选地，寻找每组中良率损失最严重的测试项后，若该组中最严重良率损失小于0.5%，放弃对该组的测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析。

可选地，获取测试结果后，还包括：对制作芯片所用各工艺参数之间进行相关性分析；根据各工艺参数是否相关将上述所有工艺参数进行分组；其中，测试项与制作芯片所用工艺参数进行相关性分析中，所用工艺参数是每组中的一个工艺参数。

可选地，所述电性测试的各测试项包括：缓存功能测试、显存速度测试。

可选地，所述制作芯片所用各工艺参数包括：显影后关键尺寸、刻蚀后关键尺寸、源漏区离子注入浓度、牺牲氧化层厚度。