[发明专利]晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，所述封装方法包括：

A）提供分类为至少两种类别的多个晶圆，每一类别的多个晶圆均具有包含至少一晶圆的多个样品；

B）针对每个类别的样品分别进行芯片探测测试，分别获取样品的晶圆图；

C）结合晶圆图，并比对预设的失效划分阀值，区别显示有效芯片单元和无效芯片单元；

D）对不同类别的样品进行封装前的组合匹配，获取有效芯片单元结合的最优配对方式；

E）按照所述的最优配对方式对不同类别的晶圆进行晶圆级封装。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于：所述的至少两种类别为A、B……Φ，所述类别的数量为N，其中N≧2；

所述的A类别中样品A1，A2，…，An对应的无效芯片单元数量为a1，a2，…，an，其中a1至an均为大于或者等于0的整数；所述的B类别中样品B1，B2，…，Bn对应的无效芯片单元数量为b1，b2，…，bn，其中b1至bn均为大于或者等于0的整数。

3.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于：所述步骤D）中，组合匹配后形成多个配对组，每个配对组的无效芯片单元数量分别为c1，c2，…，cn，其中，c1至cn均为大于或者等于0的整数，所述各配对组的配对封装良率分别为Y1，Y2，…，Yn，每一个配对组的封装良率Yn和总体封装良率Ya由以下公式计算得出：

Yn=（Na-cn）/Na*100%;

Ya=（Y1+Y2+……+Yn）/n*100%;

其中，Na为每一个配对组中的封装芯片数量，n为配对组的数量；

所述步骤D）的最优配对方式为：使得所述总体封装良率Ya达到最大的配对方式。

4.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于：所述步骤E）中，还包括：将所述类别中样品针对另一类别中的样品对应旋转180度后，将所述一类别中的样品的正面和另一类别中样品正面进行粘合封装。

5.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于：所述步骤E）中，还包括：直接将所述一类别中的样品的正面和另一类别中的样品反面进行粘合封装。

6.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于：所述一类别中的样品和另一类别中的样品由至少一个晶圆组成。

7.根据权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于：所述失效划分阀值中包括：将所述芯片划分为两个等级：失效芯片和未失效芯片。

8.根据权利要求7所述的晶圆级封装方法，其特征在于：所述失效划分阈值能够进一步包括：将所述失效芯片划分成两个等级：第一级的直流失效等级和第二级的功能失效等级。

9.根据权利要求8所述的晶圆级封装方法，其特征在于：所述步骤D）进一步包括：首先对第一级的直流失效等级进行步骤D）中的配对过程从而获得第一级最优配对方式，再对第二级的功能失效等级进行步骤D）的配对过程从而获得第二级最优配对方式。

10.根据权利要求9所述的晶圆级封装方法，其特征在于：根据所述第一级最优配对方式按照步骤E）进行粘合封装；根据所述第二级最优配对方式按照步骤E）进行粘合封装。