[发明专利]TFT‑LCD阵列基板及其数据线断线的修复方法有效
申请号: | 201310747068.1 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN103885262B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 徐亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/768 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司44217 | 代理人: | 蔡晓红 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | tft lcd 阵列 及其 数据线 断线 修复 方法 | ||
1.一种TFT-LCD阵列基板,包括由下向上依次设置的第一金属层、第二金属层和透明电极层,所述第一金属层中形成有栅线和共通电极线,所述第二金属层中形成有数据线,所述透明电极层中形成有像素电极,所述栅线与数据线交叉形成像素区域,所述像素电极以及所述共通电极线装设于所述像素区域中,其特征在于,所述共通电极线包括相互连接的第一电极线和第二电极线,所述第二电极线与所述数据线在所述第二金属层上的投影相互平行,所述第一电极线与所述数据线在所述第二金属层上的投影相交。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述第一电极线为平行于所述栅线的整体结构,所述第二电极线为垂直于所述栅线的间断结构。
3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述第二电极线包括相互平行设置的第一子电极线和第二子电极线,所述共通电极线为由所述第一子电极线、第二子电极线以及第一电极线相互连接构成的H型结构。
4.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述TFT-LED阵列基板还包括连接线,所述连接线与所述像素电极同层设置,所述连接线跨设在所述栅线上,所述连接线的一端与所述栅线一侧的第二子电极线连接,所述连接线的另一端与所述栅线另一侧的第二子电极线连接。
5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,分别位于每条所述栅线两侧的所述共通电极线通过所述连接线相互连通。
6.一种TFT-LCD阵列基板的数据线断线修复方法,其特征在于,包括:
S1、查找出数据线的断点的位置;
S2、采用激光焊接方法将所述断点两侧的数据线通过共通电极线连接起来;其中,所述共通电极线包括相互连接的第一电极线和第二电极线,所述第二电极线与所述数据线在所述第二金属层上的投影相互平行,所述第一电极线与所述数据线在所述第二金属层上的投影相交;采用激光切割方法断开所述断点所在像素区域中的共通电极线与相邻像素区域中的共通电极线的连接。
7.根据权利要求6所述的数据线断线修复方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
S21、采用激光焊接方法将断点两侧的数据线分别与其在所述第二金属层上的投影相交的所述第一电极线熔接,在所述数据线与所述第一电极线的投影的交点处形成熔接点;
S22、采用激光切割方法将所述熔接点相邻两侧的像素区域中的第一电极线切断从而断开所述断点所在像素区域中的共通电极线与相邻像素区域中的共通电极线的连接。
8.根据权利要求7所述的数据线断线修复方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
S23、断开的所述数据线通过所述第一电极线、连接在所述第一电极线与另一所述第一电极线之间的并连通的第二电极线以及另一所述第一电极线连通。
9.根据权利要求6所述的数据线断线修复方法,其特征在于,所述步骤S2包括:
S21、采用激光焊接方法将断点两侧的数据线分别与其邻近的所述第二电极线熔接,在所述数据线与所述第二电极线之间形成熔接点;
S22、采用激光切割方法将所述熔接点相邻两侧的像素区域中的第一电极线切断从而断开所述断点所在像素区域中的共通电极线与相邻像素区域中的共通电极线的连接。
10.根据权利要求9所述的数据线断线修复方法,其特征在于,所述步骤S2还包括:
S23、断开的所述数据线通过所述第二电极线连通。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310747068.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。