[发明专利]TFT‑LCD阵列基板及其数据线断线的修复方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种TFT-LCD基板制造领域，尤其涉及一种TFT-LCD阵列基板及其数据线断线的修复方法。 

背景技术

随着信息社会的发展，人们对显示设备的需求得到了增长。为了满足这种不断增长地需求，平板显示设备比如液晶显示器件（Liquid Crystalline Display LCD）、等离子体显示器件（Plasma Display Panel，PDP）、OLED（Organic Light-Emitting Diode）显示器件等都得到了迅猛的发展。在平板显示器件当中，液晶显示器件由于其重量低、体积小、能耗低的优点，正在逐步取代冷阴极显示设备。 

最初的液晶显示器件是被动驱动，所谓被动驱动，是将电压直接加在像素的上下电极上。通过上下电极上的电压差来驱动液晶，形成亮暗显示。目前主流基本上都是使用薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）来驱动液晶，TFT开关在信号控制下打开和关断，将不同的电压写入下基板（阵列基板）的像素电极。写入后，TFT在信号作用下关断，将电压保持住，从而实现了高分辨率和高灰阶数。其中TFT的控制信号通过栅线输入，像素电极上的电压通过数据线输入。 

目前TFT液晶显示器件基本上分辨率都能实现1920×1080，甚至有的能达到3840×2160的分辨率。每个液晶显示器件上有几百万个像素和接近一万条数据线或者栅线。这么多线，不发生断线是很难做到的。所以在实际生产过程中，一般都会引入断线的修复流程。其中其修复方法的好坏，对于修复成功率有着很大的影响。 

目前常用的修复方法是：采用Laser CVD(chemical vapor deposition)来修复。其原理是通过激光催化六羰基钨分解，钨金属沉积在基板表面，起到导体 作用来实现的。修复方法包括：通过Laser CVD在断线的部位生长金属钨；通过Laser Cut把旁边的像素电极ITO（Indium Tin Oxides）打断；通过激光熔融两个端点，让金属钨和绝缘膜下面的金属走线连接在一起。这种修复工艺对于一般的阵列基板而言比较适合。由于其各层膜厚都不是很高，一般0.3～0.4um，最厚的也一般不会超过0.6um。在修复时，这些不同厚度的膜厚造成的段差相对不大；所以金属钨在沉积的时候相对不容易断线，修复成功率也相对有保障。 

然而，对于采用COA技术（Color Filter On Array）制成的TFT-LCD阵列基板而言，其中色层（RGB层）的膜厚都比较厚，达到3um～5um，这样按照上述方式进行断线修复时，其熔融的厚度较大，接触深度较深，沉积上的金属钨非常容易断线，导致修复成功率降低。 

因此需要提供一种能够提高采用COA技术制成的TFT-LCD阵列基板的断线修复成功率的数据线断线修复方法。 

发明内容

本发明的目的在于针对上述缺陷，提供一种TFT-LCD阵列基板，同时还提供一种能够提高该TFT-LCD阵列基板修复成功率的数据线断线修复方法。 

本发明提供的一种TFT-LCD阵列基板，包括由下向上依次设置的第一金属层、第二金属层和透明电极层，所述第一金属层中形成有栅线和共通电极线，所述第二金属层中形成有数据线，所述透明电极层中形成有像素电极，所述栅线与数据线交叉形成像素区域，所述像素电极以及所述共通电极线装设于所述像素区域中，所述共通电极线包括相互连接的第一电极线和第二电极线，所述第二电极线与所述数据线在所述第二金属层上的投影相互平行，所述第一电极线与所述数据线在所述第二金属层上的投影相交。 

上述的TFT-LCD阵列基板中，所述第一电极线为平行于所述栅线的整体结构，所述第二电极线为垂直于所述栅线的间断结构。 

上述的TFT-LCD阵列基板中，所述第二电极线包括相互平行设置的第一第二电极线和第二子电极线，所述共通电极线为由所述第一子电极线、第二子电极线以及第一电极线相互连接构成的H型结构。 

上述的TFT-LCD阵列基板，所述TFT-LED阵列基板还包括连接线，所述连接线与所述像素电极同层设置，所述连接线跨设在所述栅线上，所述连接线的一端与所述栅线一侧的第二子电极线连接，所述连接线的另一端与所述栅线另一侧的第二子电极线连接。 

上述的TFT-LCD阵列基板中，分别位于每条所述栅线两侧的所述共通电极线通过所述连接线相互连通。 

本发明还提供一种TFT-LCD阵列基板的数据线断线修复方法，包括：