[发明专利]覆晶式封装结构在审

专利信息
申请号: 201310749718.6 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN104733420A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 邱士超;洪良易 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/488
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 覆晶式 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种覆晶式封装结构,包括:

封装基板,其包含基板本体与形成于该基板本体上的线路层,该线路层并具有多个嵌埋于该基板本体中且外露于该基板本体表面的电性连接垫;以及

芯片,其覆晶接置于该封装基板上,且该芯片与该封装基板之间具有多个导电组件以电性连接二者,而该导电组件的宽度相对于该电性连接垫的外露表面的宽度的比例落在0.7至1.3的范围内。

2.根据权利要求1所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该等导电组件设于该芯片的一表面上。

3.根据权利要求2所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该结构还包括焊料,其形成于该导电组件与电性连接垫之间,以将该导电组件电性连接该电性连接垫。

4.根据权利要求1所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该线路层还包括电性连接该些电性连接垫的多个线路。

5.根据权利要求1所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该结构还包括绝缘保护层,其形成在该基板本体的该表面上,且具有多个对应外露该电性连接垫的绝缘保护层开孔。

6.根据权利要求1所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该导电组件为导电凸块。

7.根据权利要求6所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该导电凸块的材料包括金、铜及锡铅合金。

8.根据权利要求1所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该线路层的材料为铜。

9.根据权利要求1所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该结构还包括表面处理层,其形成于该电性连接垫上。

10.根据权利要求1所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该结构还包括底胶,其形成于该芯片与封装基板之间,且包覆该导电组件。

11.根据权利要求1所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该结构还包括封装胶体,其形成于该封装基板上,且包覆该芯片。

12.根据权利要求1所述的覆晶式封装结构,其特征在于,该等导电组件设于该电性连接垫上。

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