[发明专利]覆晶式封装结构在审
申请号: | 201310749718.6 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN104733420A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 邱士超;洪良易 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/488 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 覆晶式 封装 结构 | ||
技术领域
本发明提供一种覆晶式封装结构,尤指一种导电组件的宽度与电性连接垫的宽度之间具有特定比例范围的覆晶式封装结构。
背景技术
由于对电子产品的需求是日益朝向轻、薄、小及多功能的方向,因此产生了各种不同的封装技术,其中,覆晶的电性连接方式尤为目前主流的封装技术。
现有的覆晶封装件通过将具有导电凸块(bump)的芯片藉由回焊方式而与封装基板接合(bonding),其中,由于现有的封装基板的电性连接垫所外露的宽度不适配导电凸块的宽度,从而导致电性连接垫与导电凸块之间容易有不沾锡(non-wetting)的问题。
详而言之,请参照图1,该图为现有技术的覆晶式封装结构的剖视图,其中,芯片10的一表面上具有宽度W的多个导电组件101,而此处的导电组件101为导电凸块,并且导电组件101的底面形成有焊料103,此外,封装基板20的一表面嵌埋有电性连接垫2001,且该表面具有第一开孔2011以外露部分电性连接垫2001,而第一开孔2011具有的宽度W’。
在芯片10与封装基板20接合时,若是导电组件101的宽度W相对于第一开孔2011的宽度W’的比例不适配,即宽度W’远小于宽度W时,则焊料103将完全无法进入第一开孔2011中(如图1所示)或难以填满第一开孔2011,从而导致导电组件101与电性连接垫2001之间无法电性连接,或造成电性连接垫2001与导电组件101之间的接合的机械强度不足及电性特性不佳(如短路或电阻上升),从而大大影响了覆晶封装件的良率。
因此,如何克服上述电性连接垫所外露的宽度与导电凸块的宽度之间不适配所造成的接合品质不良的缺点,实为本领域技术人员的一大课题。
发明内容
有鉴于上述现有技术的缺失,本发明的目的为提供一种覆晶式封装结构,增进产品良率与可靠度。
本发明的覆晶式封装结构包括:包含有基板本体与形成于该基板本体上的线路层的封装基板以及覆晶接置于该封装基板上的芯片,而该线路层并具有多个电性连接垫,其嵌埋于该基板本体中且外露于该基板本体表面,该芯片与该封装基板之间具有多个导电组件以电性连接二者,该导电组件的宽度相对于该电性连接垫的外露表面的宽度的比例落在0.7至1.3的范围内。另外,当该芯片的一表面上具有该等导电组件时,该覆晶式封装结构还包括形成于该导电组件与电性连接垫之间的焊料,以将该导电组件电性连接该电性连接垫。
本发明可藉由将导电组件的宽度及电性连接垫的外露表面的宽度的比例经由计算机计算与实验而得出一特定的设计规则,从而解决不沾锡的问题,以提升嵌埋式封装基板对芯片的接合良率及品质。
附图说明
图1为现有技术的覆晶式封装结构中的芯片与封装基板的接合状况的示意性剖视图。
图2为本发明的覆晶式封装结构的芯片的剖视图。
图3为本发明的覆晶式封装结构的封装基板的剖视图。
图3’为本发明的覆晶式封装结构的封装基板的另一实施例的剖视图。
图4为本发明的覆晶式封装结构的剖视图。
主要组件符号说明
1 覆晶式封装结构
10 芯片
20 封装基板
20a 第一表面
20b 第二表面
30 底胶
40 封装胶体
101、202 导电组件
103 焊料
200 线路层
201 基板本体
2001 电性连接垫
2005 导电通孔
2007 线路
2009 底部电性连接垫
2011 第一开孔
2013 第二开孔
2015 表面处理层
2017 绝缘保护层
2019 绝缘保护层开孔
W、W’ 宽度。
具体实施方式
以下藉由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。本发明也可藉由其它不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用,在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
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