[发明专利]移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器和显示装置

权利要求书

1.一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：

第一控制模块，用于将起始信号传输至第一节点；

第二控制模块，用于在第一时钟信号的控制下，将第二节点的电位拉至与所述第一节点的电位不同的电位；

进位输出模块，用于根据所述第一节点的电位和所述第二节点的电位输出进位信号；

以及，移位输出模块，用于根据所述第一节点的电位和所述第二节点的电位输出移位信号。

2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，还包括：

输出反馈模块，用于根据所述进位信号和所述移位信号，通过控制所述第一控制模块而维持所述第一节点的电位。

3.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，还包括复位模块，用于控制所述移位信号复位。

4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的移位寄存器单元，其特征在于，

所述进位输出模块包括：

第一进位输出晶体管，栅极与所述第一节点连接，第一极接入所述进位信号，第二极接入第二时钟信号；

以及，第二进位输出晶体管，栅极与所述第二节点连接，第一极接入第一低电平，第二极输出所述进位信号；

所述第一进位输出晶体管的栅极和第一极之间连接有自举电容；

所述移位输出模块包括：

第一移位输出晶体管，栅极与所述第一节点连接，第一极输出所述移位信号，第二极接入所述第二时钟信号；

第二移位输出晶体管，栅极与所述第二节点连接，第一极接入第二低电平，第二极输出所述移位信号。

5.如权利要求4所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第一进位输出晶体管、所述第二进位输出晶体管、所述第一移位输出晶体管和/或所述第二移位输出晶体管为耗尽型薄膜晶体管；

所述第一进位输出薄膜晶体管的阈值电压、所述第二进位输出薄膜晶体管的阈值电压、所述第一移位输出晶体管的阈值电压和所述第二移位输出晶体管的阈值电压相同，都为耗尽阈值电压；

所述第一低电平小于所述第二低电平，并且所述第一低电平与所述第二低电平的差值的绝对值大于所述耗尽阈值电压的绝对值。

6.如权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，

所述第一控制模块包括第一控制晶体管、第二控制晶体管、第三控制晶体管和第四控制晶体管；

所述第一控制晶体管，栅极接入所述第一时钟信号，第一极分别与所述输出反馈模块和所述第二控制晶体管的第二极连接，第二极接入所述起始信号；

所述第二控制晶体管，栅极接入所述第一时钟信号，第一极与所述第一节点连接；

所述第三控制晶体管，栅极与所述第二节点连接，第一极分别与所述第四控制晶体管的第二极和所述输出反馈模块连接，第二极与所述第一节点连接；

所述第四控制晶体管，栅极与所述第二节点连接，第一极接入第一低电平输出端。

7.如权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，

所述第二控制模块包括第五控制晶体管、第六控制晶体管和保持电容；

所述第五控制晶体管，栅极接入所述第一时钟信号，第一极与所述第二节点连接，第二极接入所述第一时钟信号；

所述第六控制晶体管，栅极与所述第一节点连接，第一极接入第一低电平，第二极与所述第五控制晶体管的第一极连接；

所述保持电容，连接于所述第二节点和第二低电平输出端之间。

8.如权利要求2所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述输出反馈模块包括反馈晶体管；

所述反馈晶体管，栅极接入所述进位信号，第一极接入所述移位信号，第二极分别与所述第一控制晶体管的第一极和所述第三控制晶体管的第一极连接。

9.如权利要求3所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述复位模块包括复位晶体管；

所述复位晶体管，栅极与所述复位信号输入端连接，第一极与所述第二低电平输出端连接，第二极与所述移位信号输出端连接。