[发明专利]一种高可靠性发光二极管支架有效
申请号: | 201310750531.8 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103811633B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 王鹏辉;程志坚 | 申请(专利权)人: | 江西鸿利光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330000 江西省南昌*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可靠性 发光二极管 支架 | ||
1.一种高可靠性发光二极管支架,其包括引线框架和设于引线框架上的基座,所述引线框架和基座限定一个反射凹腔,所述引线框架包括正电极框架和负电极框架,其特征在于,所述正电极框架和负电极框架之间具有间隙,所述正电极框架和负电极框架在靠近间隙的边缘凹设有与间隙相通的沟槽,所述沟槽由引线框架的第一侧面贯穿到与第一侧面相对的第二侧面,所述间隙和沟槽内填充有绝缘部件,所述沟槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分,所述正电极框架和负电极框架的底面至少部分区域具有图案结构;
其中,所述沟槽是由引线框架底面靠近间隙的边缘向内凹陷形成,所述引线框架的底面与所述第一侧面相交处内凹有与沟槽相通的第一侧凹槽,所述引线框架的底面与所述第二侧面相交处内凹有与沟槽相通的第二侧凹槽;或者
所述沟槽是由引线框架上表面靠近间隙的边缘向内凹陷形成,所述引线框架的上表面与所述第一侧面相交处内凹有与沟槽相通的第一侧凹槽,所述引线框架的上表面与所述第二侧面相交处内凹有与沟槽相通的第二侧凹槽;
所述第一侧凹槽和第二侧凹槽内分别填充有绝缘层,所述基座、绝缘部件及绝缘层为由热硬化性环氧树脂制成的一体成型结构。
2.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述正电极框架和负电极框架的底面相对于反射凹腔底部的部分区域或全部区域具有图案结构。
3.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述正电极框架和负电极框架的整个底面具有图案结构。
4.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述图案结构为多个微槽结构、微型凸点阵列、花纹结构中的任意一种或两种以上的组合。
5.如权利要求4所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述引线框架底面的面积为上表面面积的1.5倍以上。
6.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述第一侧凹槽沿着整个第一侧面方向延伸,所述第二侧凹槽沿着整个第二侧面方向延伸,所述第一侧凹槽和第二侧凹槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分。
7.如权利要求1所述的高可靠性发光二极管支架,其特征在于,所述引线框架上表面包括暴露于反射凹腔用于固晶的固晶面和与基座结合的结合面,所述结合面至少在环绕反射凹腔底部的环状区域经过化学腐蚀处理形成粗糙部分。
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