[发明专利]一种有机器件封装方法及装置

权利要求书

1.一种有机器件封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用PECVD的沉积方法，在有机硅前驱体与反应气体的流量比例固定的条件下，向沉积腔室通入脉冲流量的氩气；

经过单个脉冲流量的周期，可在有机器件上沉积单个交替结构的薄膜；所述单个交替结构的薄膜为依次沉积在所述有机器件上的成分渐变且无明显界面的有机层、第一过渡层、无机层和第二过渡层；

进行若干个所述脉冲流量的周期，可实现所述有机器件的薄膜封装。

2.如权利要求1所述的有机器件封装方法，其特征在于，所述脉冲流量的周期和脉冲持续时间是可调的，所述脉冲流量的周期为1ms～5min，脉冲持续时间为1ms～5min。

3.如权利要求1所述的有机器件封装方法，其特征在于，所述单个交替结构的薄膜厚度为1nm～500nm。

4.如权利要求1所述的有机器件封装方法，其特征在于，所述第一过渡层的厚度根据单个脉冲流量的周期中上升沿的时间进行调整，所述第二过渡层的厚度根据单个脉冲流量的周期中下降沿的时间进行调整，所述无机层的厚度根据单个脉冲流量的周期中峰值流量持续时间进行调整，所述有机层的厚度根据单个脉冲流量的周期中谷值持续时间决定有机层厚度。

5.一种有机器件封装装置，其特征在于，包括PECVD腔室、有机硅前驱体源瓶、反应气体源瓶和氩气源瓶，所述有机硅前驱体源瓶、所述反应气体源瓶和所述氩气源瓶分别通过管路与所述PECVD腔室的进气口相连通；所述氩气源瓶与所述PECVD腔室之间的管路上设有脉冲阀，所述氩气源瓶通过所述脉冲阀向所述PECVD腔室中通入脉冲流量的氩气。

6.如权利要求5所述的有机器件封装装置，其特征在于，所述有机硅前驱体源瓶与所述PECVD腔室之间的管路上依次设有第一普通阀、第一流量计、第二普通阀。

7.如权利要求1所述的有机器件封装装置，其特征在于，所述反应气体源瓶与所述PECVD腔室之间的管路上依次设有第三普通阀、第二流量计、第四普通阀。

8.如权利要求1所述的有机器件封装装置，其特征在于，所述氩气源瓶与所述脉冲阀之间的管路上依次设有第五普通阀和第三流量计。