[发明专利]一种有机器件封装方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机电子学技术领域，具体涉及一种有机器件封装方法及装置。

背景技术

有机器件的电极通常为活泼的金属，其极易被氧化，器件的部分功能材料对水氧也较为敏感，在器件工作时易于与水氧发生电化学反应，从而加速器件老化，降低器件使用寿命。因而需对上述器件进行封装，使器件的各功能层与大气中的水汽、氧气成分隔离。同时封装层又不能破坏有机器件的柔性。若采用传统的盖板刚性封装对有机器件进行封装，虽能满足封装对水氧渗透率的商业要求（如OLED对水汽的渗透率应低于5×10^-6g·m^-2/d，氧气的渗透率应低于10^-5cm²·m^-2/d），但刚性封装使得有机器件失去了柔性的魅力。薄膜封装通常是指在器件直接形成结构致密的水氧渗透率低的薄膜，从而实现对器件的物理保护和水氧隔离。单一的聚合物薄膜具有柔性，但其致密性较差，防水氧渗透能力较低；SiO₂、SiN、Al₂O₃等无机薄膜虽致密性较高，有较高的防水氧渗透能力，但膜厚增加时则变为刚性结构，刚性薄膜用在柔性封装中易在器件功能层间产生应力损伤器件性能并且容易产生裂纹，也不适用有机器件的封装。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有机器件封装方法及装置，既可以阻止水氧的渗透，又增加了整个器件的柔性，实现有机器件高质量、高效率封装。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种有机器件封装方法，包括如下步骤：

采用PECVD的沉积方法，在有机硅前驱体与反应气体的流量比例固定的条件下，向沉积腔室通入脉冲流量的氩气；

经过单个脉冲流量的周期，可在有机器件上沉积单个交替结构的薄膜；所述单个交替结构的薄膜为依次沉积在所述有机器件上的成分渐变且无明显界面的有机层、第一过渡层、无机层和第二过渡层；

进行若干个所述脉冲流量的周期，可实现所述有机器件的薄膜封装。

进一步地，所述脉冲流量的周期和脉冲持续时间是可调的，所述脉冲流量的周期为1ms～5min，脉冲持续时间为1ms～5min。

进一步地，所述单个交替结构的薄膜厚度为1nm～500nm。

进一步地，所述第一过渡层的厚度根据单个脉冲流量的周期中上升沿的时间进行调整，所述第二过渡层的厚度根据单个脉冲流量的周期中下降沿的时间进行调整，所述无机层的厚度根据单个脉冲流量的周期中峰值流量持续时间进行调整，所述有机层的厚度根据单个脉冲流量的周期中谷值持续时间决定有机层厚度。

一种有机器件封装装置，包括PECVD腔室、有机硅前驱体源瓶、反应气体源瓶和氩气源瓶，所述有机硅前驱体源瓶、所述反应气体源瓶和所述氩气源瓶分别通过管路与所述PECVD腔室的进气口相连通；所述氩气源瓶与所述PECVD腔室之间的管路上设有脉冲阀，所述氩气源瓶通过所述脉冲阀向所述PECVD腔室中通入脉冲流量的氩气。

进一步地，所述有机硅前驱体源瓶与所述PECVD腔室之间的管路上依次设有第一普通阀、第一流量计、第二普通阀。

进一步地，所述反应气体源瓶与所述PECVD腔室之间的管路上依次设有第三普通阀、第二流量计、第四普通阀。

进一步地，所述氩气源瓶与所述脉冲阀之间的管路上依次设有第五普通阀和第三流量计。

与现有技术方案相比，本发明采用的技术方案产生的有益效果如下：

本发明采用PECVD方法，在有机硅前驱体和反应气体流量比例固定的前提下，通过通入脉冲流量的氩气，实现有机器件的多周期微厚度交替结构薄膜封装，从而实现有机器件的高质量、高效率封装。

附图说明

图1为本发明实施例提供的有机器件封装方法中单个脉冲周期薄膜性质变化示意图；

图2为本发明实施例中梯形脉冲的示意图；

图3为本发明实施例中矩形方波形脉冲的示意图；

图4为本发明实施例提供的有机器件封装装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种有机器件封装方法，包括如下步骤：