[发明专利]引线框架、QFN封装体、及形成QFN封装体的方法

权利要求书

1.一种适于QFN封装的引线框架，其特征在于，该引线框架包括：

第一芯片座和相邻的第二芯片座；

第一引脚阵列，其位于所述第一芯片座朝向所述第二芯片座的一侧，配置为连接位于所述第一芯片座的电路；

第二引脚阵列，其位于所述第二芯片座朝向所述第一芯片座的一侧，配置为连接位于所述第二芯片座的电路；

其中，所述第一引脚阵列和第二引脚阵列通过连筋连接在一起，且在所述第一引脚阵列和第二引脚阵列的曝露表面具有凹槽，该凹槽在去除所述连筋后仍会部分保留，该凹槽的保留部分的深度在引脚厚度的1／3～2／3的范围之内，开口宽度在引脚宽度的1／4～2／3的范围之内，在引脚长度方向上延伸至1／6～1／2的范围之内。

2.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，还包括位于所述第一引脚阵列和第二引脚阵列的端部的减薄突起。

3.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述连筋在引脚之间的桥接部分减薄。

4.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽可经由贴膜封闭。

5.如权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述凹槽的保留部分在引脚宽度方向上的最大宽度大于在引脚端部的开口宽度。

6.一种QFN封装体，其特征在于，该QFN封装体包括：

芯片座；

引脚阵列，位于该芯片座的周围；

芯片，固定于所述芯片座上，并且通过金属导线与所述引脚阵列电性连接；

胶体，其覆盖所述芯片和金属导线，且至少部分地覆盖所述芯片座和引脚阵列；

其中，所述引脚阵列中至少一引脚上具有在外边缘开口的凹槽，该凹槽的深度在引脚厚度的1／3～2／3的范围之内，开口宽度在引脚宽度的1／4～2／3的范围之内，在引脚长度方向上延伸至1／6～1／2的范围之内。

7.如权利要求6所述的QFN封装体，其特征在于，所述凹槽在引脚宽度方向上的最大宽度大于在引脚外边缘的开口宽度。

8.一种形成QFN封装体的方法，其特征在于，该方法包括：

形成引线框架，该引线框架包括：

第一芯片座和相邻的第二芯片座；

第一引脚阵列，其位于所述第一芯片座朝向所述第二芯片座的一侧，配置为连接位于所述第一芯片座的电路；

第二引脚阵列，其位于所述第二芯片座朝向所述第一芯片座的一侧，配置为连接位于所述第二芯片座的电路；

其中，所述第一引脚阵列和第二引脚阵列通过连筋连接在一起；

以及

在所述第一引脚阵列和第二引脚阵列的曝露表面形成凹槽，该凹槽在去除所述连筋后仍会部分保留，该凹槽的保留部分的深度在引脚厚度的1／3～2／3的范围之内，开口宽度在引脚宽度的1／4～2／3的范围之内，在引脚长度方向上延伸至1／6～1／2的范围之内。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括步骤：

在所述引线框架的曝露表面加膜；

灌胶封装；

切单去除所述连筋以形成QFN封装体。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述加膜步骤将所述凹槽封闭。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：在引脚之间的桥接部分减薄所述连筋。