[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法有效
| 申请号： | 201310753728.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103730404B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S01，提供衬底，在所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和刻蚀阻挡层；
步骤S02，刻蚀所述刻蚀阻挡层、衬垫氧化层和衬底，以形成位于所述衬底中的浅沟槽；
步骤S03，于所述浅沟槽表面形成隔离层；
步骤S04，在所述隔离层表面形成填充满所述浅沟槽的多晶硅层；
步骤S05，对上述所形成的层叠结构离子注入锗，并进行退火处理，形成位于所述隔离层表面并填充满所述浅沟槽的锗硅层；其中，退火的温度为700℃～900℃，退火时间为20秒～35秒。
2.根据权利要求1所述一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅。
3.根据权利要求1所述一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，所述隔离层的材料为二氧化硅。
4.根据权利要求3所述一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，所述隔离层是通过高深宽比工艺(HARP)形成并完全覆盖所述沟槽的表面，其中，所述隔离层的厚度为3nm～5nm。
5.根据权利要求4所述一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，形成所述隔离层的工艺参数为温度350℃～450℃，反应气体为正硅酸乙酯和臭氧。
6.根据权利要求1所述一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，所述多晶硅层是通过炉管淀积方法形成的。
7.根据权利要求6所述一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，形成所述多晶硅层的工艺参数为温度800℃～1100℃，反应气体为二氯氢硅和氢气。
8.根据权利要求1所述一种浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，形成所述多晶硅层后还包括通过化学机械研磨工艺去除位于所述浅沟槽外的多晶硅层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310753728.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
