[发明专利]一种感光单元、显示面板的阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及图像显示技术，特别是关于一种感光单元、显示面板的阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着科技的不断进步，显示面板技术也在不断发展。近年来，液晶显示面板（TFT LCD）以其卓越的性能已经成为市场的主流产品。一个液晶显示面板主要由阵列基板、彩色滤光片基板和液晶层组成。其中，阵列基板是由多个陈列排布的晶体管，以及与每一个晶体管对应配置的像素单元（pixel）组成。晶体管作为启动像素单元工作的开关元件，通过扫描线接收来自扫描驱动电路的扫描信号，通过数据线接收来自数据驱动电路的数据信号，在扫描信号的作用下将数据信号写入像素单元，该像素单元的液晶分子在数据信号的作用下发生相应的偏转，透过一定量的光，同时配以外围的灰阶调节电路对光的强度进行调节，完成图像显示。随着用户要求的不断提高，现今的显示面板除了实现上述显示功能之外，还整合了诸多新的功能，已形成了功能不断完善的多媒体平台。环境光线感测功能就是当前显示面板中整合的新功能之一。由现有技术可知，这种功能通常是通过在显示面板的阵列基板上增设感光单元实现。如图1所示，是现有的一种包含感光单元的阵列基板的结构剖视图。该阵列基板包括基板10，以及在基板10上依次设置的缓冲层20、第一图案化半导体层30、栅极绝缘层40、第一图案化金属层50、层间介电层60和第二图案化金属层70，在设置第二图案化金属层70时，于感光区处形成第一感测电极E1，然后在第一感测电极E1上沉积一层富硅氧化硅层（silicon rich oxide，SRO）或是富硅氮化硅层（silicon rich nitride，SRN），作为光敏介电层80，然后再在光电介电层80设置第二第一感测电极E2，形成感光单元。这种感光单元的生产工艺简单易行，但是由于是单层膜（一层富硅氧化硅层或者富硅氮化硅层）结构，因此产生的光电流容易因为工作电压的波动而发生剧烈的变化，进而导致感测结果不准确。

现有技术中，还有一种具有指纹辨识功能的液晶显示面板，该显示面板的阵列基板10上也设置有感光单元（如图2所示）。该感光单元包括PIN（P型掺杂区/本征区/N型掺杂区）结构的主动层20、保护层30和接点40。当使用者的手指按压于显示面板上时，背光源发出的光经过像素单元透射后照射于手指上，且经手指反射会照射到本征区。本征区吸收反射光的能量使价带中的电子激发到导带，在价带中留下空穴，产生等量的电子与空穴，由此在主动层20的P型掺杂区和N型掺杂区之间形成光电流，该光电流藉由接点40输出。这种PIN结构的感光单元工作特性比较稳定，不易受电压波动的影响。但是由于PIN结构横向设置，与阵列基板显示区的晶体管同步制作，使得PIN结构的厚度不足，光学感测区域偏小，进而导致光电转换效能偏低。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种准确度和光电转换效能较高的感光单元、显示面板的阵列基板及其制作方法。

本发明提供一种感光单元，其特征在于，配置于显示面板的阵列基板上，包括：

第一导电型掺杂区，

第二导电型掺杂区，

设置在第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区之间的本征区，其中第一导电型掺杂区掺杂离子与第二导电型掺杂区掺杂离子电性相反；

以及与第一导电型掺杂区和第二导电型掺杂区分别电性连接的第一感测电极和第二感测电极。

根据本发明的实施例，上述第一导电型掺杂区和第二导电型掺杂区可以为P型或者N型离子掺杂的非晶硅，本征区可以为非晶硅层。

根据本发明的实施例，上述第一导电型掺杂区和第二导电型掺杂区可以为P型或者N型离子掺杂的微晶硅，本征区可以为微晶硅层。

根据本发明的实施例，上述第一导电型掺杂区和第二导电型掺杂区可以为P型或者N型离子掺杂的微晶硅，本征区可以为非晶硅层。

进一步地，上述第一导电型掺杂区、第二导电型掺杂区和本征区纵向设置。

本发明还提供一种显示面板的阵列基板，其特征在于，阵列基板上设置有上述感光单元。

本发明还提供一种显示面板的阵列基板的制作方法，其包括以下步骤：

提供一基板，该基板包括至少一显示区和一感光区；

形成一第一图案化半导体层于基板上，该第一图案化半导体层包括位于显示区内的第一储存电极和半导体区块，并对第一储存电极和半导体区块进行离子掺杂，以在半导体区块内形成源极掺杂区和漏极掺杂区，在源极掺杂区与漏极掺杂区之间形成通道区；

形成一栅极绝缘层于基板上，以覆盖第一图案化半导体层；