[发明专利]一种干法刻蚀机及其刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201310753880.5 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN103745904A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 刘思洋 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 蔡晓红
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 刻蚀 及其 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示器基板的刻蚀技术领域,尤其涉及一种干法刻蚀机及其刻蚀方法。

背景技术

在目前的液晶显示面板阵列基板制造过程中,薄膜刻蚀有干法刻蚀和湿法刻蚀两种。对于一般的a-Si、SiNx、SiOx以及一些金属膜的刻蚀,多采用干法刻蚀。然而,干法刻蚀机反应室内的气体易受机械泵抽气的影响,从而使得刻蚀均匀性受到一定的影响,基板四周刻蚀速率较中心高,从而影响了干法刻蚀的均匀性。

发明内容

本发明的目的在于,为了克服现有技术中存在的干法刻蚀均匀性较差的缺陷,提供了一种具有良好的均匀性的干法刻蚀机及其刻蚀方法。

本发明提供一种干法刻蚀机,用于对基板上多个刻蚀区域进行薄膜刻蚀,包括反应室以及设置于所述反应室中的上电极板和下电极板,所述上电极板上开设有多个用于向所述反应室中通入气体的通气孔,所述多个通气孔与所述多个刻蚀区域一一对应设置;所述干法刻蚀机还包括:

与所述反应室连接的流量控制器,用于交替地控制所述多个通气孔中的气流量;

多个刻蚀速率检测装置,分别设置在靠近所述基板的多个刻蚀区域处,用于检测所述多个刻蚀区域的刻蚀速率;

中央控制器,分别与所述流量控制器以及所述多个刻蚀速率检测装置电连接,用于获取所述多个刻蚀区域的刻蚀速率,并在至少两个所述刻蚀区域的刻蚀速率不等时,控制所述流量控制器调整与所述至少两个刻蚀区域相对应的通气孔的气流量,以使所述多个刻蚀区域的刻蚀速率均相等。

上述的干法刻蚀机中,所述刻蚀速率检测装置包括厚度检测器和计时器,所述厚度检测器用于检测所述多个刻蚀区域在预设时间段内薄膜的厚度,所述计时器用于计量所述预设时间段。

上述的干法刻蚀机中,所述上电极板呈方形,所述多个通气孔分别为:设置在所述上电极板的中心位置处的中心孔、设置在所述上电极的四个直角位置处的第一组边缘通气孔以及设置在所述每两个直角位置之间的第二组边缘通气孔。

上述的干法刻蚀机中,所述反应室呈长方体形,所述反应室的顶部设置有所述上电极板,所述反应室的底部、与所述上电极板对应的位置处设置有所述下电极板。

上述的干法刻蚀机中,所述下电极板的相对两端分别设置有一对挡板,所述一对挡板均固定在所述反应室的底部,用于使所述下电极板固定。

上述的干法刻蚀机中,所述反应室的底部还开设有至少一个抽气孔,每个所述抽气孔设置在所述下电极板的一侧,所述抽气孔用于排出所述反应室中的废气。

上述的干法刻蚀机中,所述反应室中还设置有内壁板,所述内壁板环所述反应室的内侧壁一周设置,用于加强所述反应室的强度。

本发明还提供一种如上述的干法刻蚀机的干法刻蚀方法,包括以下步骤:

S1、在利用所述反应室中的气体对所述基板进行薄膜刻蚀时,所述多个刻蚀速率检测装置对所述多个刻蚀区域的刻蚀速率进行检测;并将检测值发送至所述中央控制器;

S2、当所述中央控制器判断出至少两个所述刻蚀区域的刻蚀速率不等时,所述中央控制器控制所述流量控制器调整与所述至少两个刻蚀区域对应的通气孔的气流量,以使所述多个刻蚀区域的刻蚀速率均相等。

上述的干法刻蚀方法中,所述步骤S1包括:

S11、所述厚度检测器对预设时间段内所述多个刻蚀区域的薄膜厚度进行检测,并将检测值发送至所述中央控制器;

S12、采用计时器计量所述预设时间段,并将所述预设时间段发送至所述中央控制器;

S13、所述中央控制器根据接收到的厚度值及预设时间段计算出所述多个刻蚀区域的刻蚀速率。

实施本发明的有益效果在于:本发明通过设置刻蚀速率检测装置对基板上各个刻蚀区域的薄膜的刻蚀速率进行检测,并将检测结果发送至中央控制器,中央控制器对检测结果进行分析,如果发现至少两个刻蚀区域的刻蚀速率不等时,则控制流量控制器对该至少两个刻蚀区域对应的通气孔的气流量进行控制,从而使得基板上各个刻蚀区域的刻蚀速率相等,进而提高刻蚀的均匀性。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:

图1为本发明提供的干法刻蚀机的实施例的结构示意图;

图2为图1中上电极板的横截面示意图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310753880.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top