[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310757154.0 申请日: 2013-11-26
公开(公告)号: CN103839918A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: F·德切;D·梅因霍尔德;T·沙夫 申请(专利权)人: 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/488;H01L21/60;H01L21/78
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马丽娜;徐红燕
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包含:

第一半导体芯片,具有第一侧面和相对的第二侧面;

第一芯片接触焊盘,设置在第一半导体芯片的第一侧面上;

介电衬垫,设置在第一半导体芯片上,介电衬垫包含在第一芯片接触焊盘上的多个第一开口;以及

第一互连,通过在第一芯片接触焊盘处的所述多个第一开口接触第一半导体芯片。

2.如权利要求1所述的器件,进一步包括设置在第一半导体芯片周围的封装物,第一互连设置在封装物中。

3.如权利要求2所述的器件,进一步包括导电板,其中第一半导体芯片设置在导电板上,其中介电衬垫设置在导电板上,以及其中封装物设置在介电衬垫上。

4.如权利要求2所述的器件,进一步包括导电板,其中第一半导体芯片设置在导电板上,其中封装物设置在导电板上。

5.如权利要求1所述的器件,进一步包括:

第二芯片接触焊盘,设置在第一半导体芯片的第一侧面上;

多个第二开口,设置在第二芯片接触焊盘上的介电衬垫中;以及

第二互连,通过在第二芯片接触焊盘处的所述多个第二开口接触第一半导体芯片。

6.如权利要求1所述的器件,进一步包括:

第二半导体芯片,第二半导体芯片具有第一侧面和相对的第二侧面;

第二芯片接触焊盘,设置在第二半导体芯片的第—侧面上,其中介电衬垫设置在第二芯片上,并且其中介电衬垫包括在第二芯片接触焊盘上的多个第二开口;以及

第二互连,通过在第二芯片接触焊盘处的所述多个第二开口接触第二半导体芯片。

7.如权利要求6所述的器件,进一步包括导电板,其中第一半导体芯片和第二半导体芯片设置在导电板上。

8.一种半导体器件,包括:

第一半导体芯片,具有第一侧面和相对的第二侧面;

第一芯片接触焊盘,设置在第一半导体芯片的第—侧面上,第一芯片接触焊盘包括多个第一开口;以及

第一互连,通过在第一芯片接触焊盘处的所述多个第一开口接触第一半导体芯片。

9.如权利要求8所述的器件,进一步包括封装物,其设置在第一半导体芯片上,第一互连设置在封装物中。

10.如权利要求9所述的器件,进一步包括导电板,其中第一半导体芯片设置在导电板上,其中封装物设置在导电板上。

11.如权利要求8所述的器件,进一步包括:

第二芯片接触焊盘,设置在第一半导体芯片的第一侧面上;

多个第二开口,设置在第二芯片接触焊盘上;以及

第二互连,通过在第二芯片接触焊盘处的所述多个第二开口接触第一半导体芯片。

12.如权利要求8所述的器件,进一步包括:

第二半导体芯片,具有第一侧面和相对的第二侧面;

第二芯片接触焊盘,设置在第二半导体芯片的第—侧面上,其中第二芯片接触焊盘包括多个第二开口;以及

第二互连,通过在第二芯片接触焊盘处的所述多个第二开口接触第二半导体芯片。

13.如权利要求12所述的器件,进一步包括导电板,其中第一半导体芯片和第二半导体芯片设置在导电板上。

14.如权利要求8所述的器件,进一步包括间隔物,其设置在第一芯片接触焊盘的所述多个第一开口的侧壁周围。

15.—种形成半导体器件的方法,该方法包括:

提供具有第一侧面和相对的第二侧面的第一半导体芯片;

将第一半导体芯片的第二侧面附着到导电板,第一半导体芯片具有在第一侧面上的第一芯片接触焊盘;

在第一半导体芯片上形成介电衬垫;

图案化第一芯片接触焊盘上的介电衬垫的一部分;

在第一半导体芯片上形成封装物;以及

形成穿过封装物和介电衬垫的图案化部分到第一芯片接触焊盘的互连。

16.如权利要求15所述的方法,其中形成互连包括附着线。

17.如权利要求15所述的方法,其中形成互连包括:

在封装物内形成互连开口以暴露介电衬垫的图案化部分;以及

用导电材料填充互连开口。

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