[发明专利]半导体封装及其制造方法

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体器件，且更具体地涉及半导体封装及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于多种电子和其他应用中。除了别的以外，半导体器件还包含集成电路或分立器件，其通过下述形成于半导体晶片上：在半导体晶片上沉积一种或多种类型的薄膜材料，并图案化薄膜材料以形成集成电路。

半导体器件被典型地封装在陶瓷体或塑性体内以保护半导体器件免受物理性损坏或腐蚀。封装也支持将半导体器件(也称为管芯或芯片)连接到封装外部的其他装置所需的电接触。很多不同类型的封装是可用的，取决于将被封装的半导体器件的类型和半导体器件的预期用途。典型的封装特征，比如封装的尺寸、引脚数量等等，可以除了别的以外还遵从来自电子器件工程联合委员会(JEDEC)的开放式标准。封装也可以被称为半导体器件组装或简单地称为组装。

发明内容

根据本发明的一个实施例，一种半导体器件包含具有第—侧面和相对的第二侧面的半导体芯片，以及布置在半导体芯片的第一侧面上的芯片接触焊盘。介电衬垫布置在半导体芯片上。介电衬垫包含在芯片接触焊盘上方的多个开口。互连通过多个开口在芯片接触焊盘处接触半导体芯片。

根据本发明的替代实施例，一种半导体器件包含具有第一侧面和相对的第二侧面的半导体芯片，以及布置在半导体芯片的第一侧面上的芯片接触焊盘。芯片接触焊盘包含多个开口。互连通过多个开口在芯片接触焊盘处接触半导体芯片。

根据本发明的替代实施例，一种形成半导体器件的方法包含提供具有第一侧面和相对的第二侧面的半导体芯片，以及将半导体芯片的第二侧面附着到导电板。半导体芯片在其第一侧面上具有芯片接触焊盘。介电衬垫被形成于半导体芯片上。第一芯片接触焊盘上的介电衬垫的一部分被图案化。封装物形成在半导体芯片上。互连被形成为穿过封装物及穿过介电衬垫的被图案化的部分到达芯片接触焊盘。

根据本发明的替代实施例，一种形成半导体器件的方法包含提供具有第一侧面和相对的第二侧面的半导体芯片，以及将半导体芯片的第二侧面附着到导电板。半导体芯片在其第一侧面上具有芯片接触焊盘。芯片接触焊盘的一部分被图案化以在芯片接触焊盘中形成开口。该方法进一步包括在第一半导体芯片上形成封装物以及形成穿过封装物和第一芯片接触焊盘的开口的互连。

附图说明

为了更完整地理解本发明及其优势，现在参考下面结合附图进行的描述，其中：

图1，其包括图1A-1C，示出了根据本发明的实施例的半导体器件，其中图1A示出了半导体器件的剖面图，而图1B示出了半导体器件的部分顶视图，以及图1C示出了顶视图；

图2，其包括图2A-2I，示出了根据本发明的实施例的在不同制造阶段期间的半导体器件；

图3，其包括图3A-3E，示出了根据本发明的替代实施例的在不同处理阶段期间的半导体器件；

图4，其包括图4A-4F，示出了根据本发明的替代实施例的在制造期间的半导体器件；

图5，其包括图5A-5B，示出了本发明的替代实施例，其中芯片接触焊盘中的多个开口被间隔开以便于形成间隔物；

图6，其包括图6A-6C，示出了根据本发明的替代实施例的在不同制造阶段中的半导体器件；

图7，其包括7A-7E，示出了根据本发明的替代实施例的在制造期间的半导体器件；

图8，其包括8A-8D，示出了根据本发明的替代实施例的在制造期间的半导体器件；

图9，其包括图9A-9D，示出了根据本发明的实施例的半导体器件；

图10，其包括图10A-10E，示出了根据本发明的实施例的半导体器件，其中图案化的介电衬垫形成分段的接触焊盘，其中图10A示出了在晶片级加工之后的剖面图，图10B-10D示出了芯片接触焊盘的对应平面图，以及图10E示出了在形成接触互连之后的半导体封装的剖面图；

图11，其包括图11A-11D，示出了根据本发明的实施例的半导体器件，其中图案化的介电衬垫在形成用于接触互连的开口的过程中被剥离，其中图11A示出了在晶片级加工后的剖面图，图11B-11C示出了芯片接触焊盘的对应平面图，以及图11D示出了形成接触互连之后的半导体封装的剖面图；

图12，其包括图12A-12E，示出了根据本发明的实施例的半导体器件，其中包含两个层的介电衬垫被用来形成图案化的介电衬垫，其中图12A示出了晶片级加工后的剖面图，图12B-12D示出了芯片接触焊盘的对应平面图，以及图12E示出了形成接触互连之后的半导体封装的剖面图；