[发明专利]具有接合中介层的集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，其包括：

第一和第二分量集成电路，其被配置为相互通信；以及

邻近的中介层，其包括芯片至芯片互连以促成所述第一和第二分量集成电路之间的通信，其中所述中介层大于用于制造所述中介层的光刻系统的刻线极限。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述中介层包括第一分量中介层和第二分量中介层，其中所述第一分量中介层和所述第二分量中介层都不单独大于所述刻线极限。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述中介层的每个芯片至芯片互连均完全设置在第一分量中介层之内或完全设置在第二分量中介层之内，使得所述芯片至芯片互连均不横跨在所述第一分量中介层与所述第二分量中介层之间。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述中介层包括具有相同芯片至芯片互连设计的第一分量中介层和第二分量中介层。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述中介层包括第一分量中介层和第二分量中介层，其每一个均具有各自不同的芯片至芯片互连设计。

6.一种制造集成电路器件的方法，其包括：

利用光刻系统在晶片上图案化第一分量中介层，其中该第一分量中介层具有小于或等于所述光刻系统的所述刻线极限的尺寸；以及

利用所述光刻系统在所述晶片上邻近所述第一分量中介层图案化第二分量中介层，其中所述第二分量中介层具有小于或等于所述光刻系统的所述刻线极限的尺寸；

将多个分量集成电路键合至所述第一分量中介层、所述第二分量中介层或两者；以及

在第一分量中介层和第二分量中介层的总体结构周围切割所述晶片。

7.根据权利要求6所述的方法，其中利用第一掩模数据库图案化所述第一分量中介层并且利用第二掩模数据库图案化所述第二分量中介层，其中所述第一和第二掩模数据库不同。

8.根据权利要求6所述的方法，其中利用相同的掩模数据库图案化所述第一分量中介层和所述第二分量中介层。

9.根据权利要求6所述的方法，其中键合至所述第一分量中介层、所述第二分量中介层或两者的所述多个分量集成电路包括现场可编程门阵列、存储器器件、模数转换器、数模转换器、混合信号处理器、光信号处理器、微处理器或其任一组合。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述晶片被切割成大于所述光刻系统的所述刻线极限的尺寸。

11.一种集成电路器件，其包括：

第一集成电路器件；

子管芯，其被配置为支持所述第一集成电路器件；以及

中介层，其被配置为在所述第一集成电路与所述子管芯之间提供芯片至芯片互连，其中所述中介层包括通过管芯密封结构彼此隔离的至少两个非交叠分量中介层。

12.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述第一集成电路包括现场可编程门阵列，并且其中所述子管芯包括另一现场可编程门阵列、存储器器件、模数转换器、数模转换器、混合信号处理器、光信号处理器、微处理器或其任一组合。

13.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述中介层包括至少三个非交叠分量中介层。

14.根据权利要求13所述的集成电路器件，其中所述至少三个非交叠分量中介层中的至少两个包括同样的芯片至芯片互连结构。

15.根据权利要求13所述的集成电路器件，其中至少部分所述第一集成电路和至少部分所述子管芯被设置在所述至少三个分量中介层的第一个中介层上方，其中所述第一集成电路和所述第二集成电路被配置为至少部分利用全部位于所述至少三个中介层的第一个中介层之内的芯片至芯片互连进行通信。

16.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述至少两个分量中介层中仅一个中介层包括所述芯片至芯片互连。

17.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述中介层大于用于制造所述中介层的光刻系统的刻线极限，但是所述至少两个分量中介层的每一个均 于或小于所述刻线极限。