[发明专利]柔性有机电致发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201310757250.5 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN104425550B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 金首豪;金相培;全俊泰;李庸三 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 有机 电致发光 装置 及其 制造 方法 | ||
提供了一种柔性有机电致发光装置及其制造方法。在该柔性电致发光装置中,在位于柔性印刷电路板所连接到的焊盘区中的多个无机层的表面上形成线孔图案,以防止由有机电致发光装置的反复弯曲和伸展所引起的裂缝的路径扩展至装置的内部。
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光装置(或有机发光显示装置)。更具体地,本发明涉及一种能够使由具有在容易产生裂缝(crack)的焊盘区或者包括该焊盘区的非显示区中形成的线孔(line hole)的台阶部分产生裂缝最小化的柔性有机电致发光装置及其制造方法。
背景技术
有机电致发光装置是平板显示器(FPD)中的一种,具有高亮度和低操作电压的特性。另外,因为有机电致发光装置是自发光装置,所以有机电致发光装置具有大的对比度,能够被用作超薄显示器,具有与几微秒(μs)一样快的响应时间以便于实现视频,在视角方面没有限制,在低温下稳定,并且以直流电流的从5V至15V范围内的低电压驱动。
另外,有机电致发光装置的制造工艺仅需要沉积和封装设备,因此非常简单。
将具有上述特性的有机电致发光装置划分为无源矩阵型有机电致发光装置和有源矩阵型有机电致发光装置。在无源矩阵型有机电致发光装置中,扫描线和信号线以矩阵形式交叉,并且为了驱动各像素,扫描线随时间被顺序地驱动。因此,为了获得所需的平均亮度,需要获得与通过将线的数量乘以平均亮度所获得的值相对应的瞬间亮度(即瞬间亮度与平均亮度和线的数量的乘积一样高)。
然而,在有源矩阵型有机电致发光装置中,薄膜晶体管(TFT)被用作接通或断开像素区的开关元件,并且设置在各像素区中。TFT连接至电源线和各像素区中的有机发光二极管(OLED)。
在这种情况下,连接至驱动TFT的第一电极通过像素区被接通和断开,并且面对第一电极的第二电极可以用作公共电极。第一电极和第二电极与插入在第一电极和第二电极之间的有机发光层一起形成OLED。
在具有前述特性的有源矩阵型有机电致发光装置中,施加至像素区的电压充入存储电容器Cst,以提供电力,直到施加下一帧信号为止,由此在单个画面期间不管扫描线的数量而连续地驱动装置。
因此,尽管施加了低电流,但可以获得相同的亮度,具有耗电少的优点,可以获得小点距(pitch),并且可以增加显示尺寸。这些特征使得增加了有源矩阵型有机电致发光装置的通常使用。
将参照图1和图2描述相关技术的有机电致发光装置。
图1是相关技术的有机电致发光装置的平面图。
图2是沿着图1中的线II-II截取的相关技术的有机电致发光装置的截面图。
在图1的相关技术的有机电致发光装置10中,在基板(未示出)中限定显示区AA,在显示区AA的外部限定具有焊盘区PD的非显示区(未示出),在显示区AA中设置被限定为由选通线(未示出)和数据线(未示出)所占据的区域的多个像素区(未示出),并且电源线(未示出)被设置为与数据线(未示出)平行。
在各像素区(未示出)中形成TFT。
在相关技术的有机电致发光装置10中,用保护膜(图2中的47)封装形成有TFT和有机电致发光元件(或OLED)E的基板(图2中的11)。
详细地,如图2所示,在基板11中限定显示区AA,并且在显示区AA的外部限定包括焊盘区PD的非显示区。在显示区AA中设置通过由选通线(未示出)和数据线(未示出)形成的区域所限定的多个像素区(未示出),并且电源线(未示出)被设置为与数据线(未示出)平行。
这里,在用玻璃材料制成的基板11上形成聚酰亚胺层15,并且在聚酰亚胺层15和基板11之间形成牺牲层(sacrificial layer)13。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的