[实用新型]导电性膜及导电性膜卷

说明书

技术领域

本实用新型涉及适用于能够通过手指或触控笔（stylus pen）等的接触而输入信息的输入显示装置等的导电性膜及导电性膜卷。 

背景技术

目前，已知一种导电性膜，该导电性膜具备形成在膜基材的两面的透明导电体层和形成在各透明导电体层的表面的金属层（专利文献1）。将这样的导电性膜用于例如接触式传感器时，对金属层进行加工，在接触输入区域的外缘部形成引导布线，从而能够实现窄边框化。 

现有技术文献 

专利文献 

专利文献1：日本特开2011－060146号公报 

实用新型内容

但是，上述现有的导电性膜存在将该膜卷成卷状时邻接的膜彼此压接的问题。如果将压接的膜彼此剥离，则有时损伤膜内的透明导电体层，可能导致品质降低。 

本实用新型的目的在于提供将导电性膜卷成卷状时邻接的膜不压接而能够维持高品质的导电性膜及导电性膜卷。 

为了实现上述目的，本实用新型的导电性膜具备：膜基材，形成在上述膜基材的一侧的第1透明导电体层，形成在上述第1透明导电体层的与上述膜基材相反侧的第1铜层，形成在上述膜基材的另一侧的第2透明导电体层，形成在上述第2透明导电体层的与上述膜基材相反侧的第2铜层，形成在上述第1铜层的与上述第1透明导电体层相反侧、含有氧化亚铜的厚度为1nm～15nm的第1氧化被膜层。 

优选上述第1氧化被膜层的厚度为1.0nm～8.0nm。 

另外，优选上述第1氧化被膜层由含有50重量％以上的氧化亚铜、并且含有铜、氧化铜、碳酸铜及氢氧化铜的组合物构成。更优选上述第1氧化被膜层实质上仅由氧化亚铜构成。 

上述导电性膜优选还具有形成于上述第2铜层、含有氧化亚铜的厚度为1nm～15nm的第2氧化被膜层。 

另外，为了实现上述目的，本实用新型的导电性膜卷的特征在于，将上述导电性膜卷成卷状而构成。 

根据本实用新型，第1氧化被膜层形成在第1铜层的与第1透明导电体层相反侧。从而，将本导电性膜卷成卷状时，因为第1铜层和第2铜层之间存在第1氧化被膜层，所以能够抑制第1铜层和第2铜层的金属键合。另外，因为使含有氧化亚铜的第1氧化被膜层的厚度为1nm～15nm，从而邻接的膜彼此不压接，所以不会损伤第1透明导电体层，能够维持高品质。 

另外，因为第1氧化被膜层的厚度为1.0nm～8.0nm，所以能够确实地防止邻接的膜彼此的压接。 

进而，因为第1氧化被膜层由含有50重量％以上的氧化亚铜、并且含有铜、氧化铜、碳酸铜及氢氧化铜的组合物构成，所以能够确实地防止邻接的膜彼此压接。 

附图说明

图1是概略地表示将本实用新型实施方式的导电性膜卷成的导电性膜卷的构成的侧视图。 

图2是表示图1中部位A的局部放大图。 

图3是表示图1的导电性膜的变形例的部分放大图。 

图4是表示图1的导电性膜卷的变形例的侧视图。 

图5是表示图4中部位B的局部放大图。 

符号说明

1    导电性膜 

2    膜基材 

3    透明导电体层 

4    铜层 

5    透明导电体层 

6    铜层 

7    氧化被膜层 

8，8’  导电性膜卷 

9，9’  巻芯 

10，20  导电性膜 

11    氧化被膜层 

具体实施方式

以下参照附图详细说明本实用新型的实施方式。 

图1是概略地表示将本实施方式的导电性膜卷成的导电性膜卷的构成的侧视图。图2是表示图1中部位A的局部放大图。应予说明，图1、图2中的各层的厚度表示它的一例，本实用新型的导电性膜中的各层的厚度不限定于图1、图2的厚度。 

如图1、图2所示，本实用新型的导电性膜1具备膜基材2，形成在该膜基材的一侧的透明导电体层（第1透明导电体层）3，形成在透明导电体层3的与膜基材2相反侧的铜层（第1铜层）4，形成在膜基材2的另一侧的透明导电体层（第2透明导电体层）5，形成在透明导电体层5的与膜基材2相反侧的铜层（第2铜层）6，形成在铜层4的与透明导电体层3相反侧、含有氧化亚铜的厚度为1nm～15nm的氧化被膜层（第1氧化被膜层）7。