[实用新型]半导体外延片真空夹持装置

权利要求书

1.一种半导体外延片真空夹持装置，其特征在于：包括吸附板，所述的吸附板的一侧具有向内凹陷的吸附凹槽，所述的吸附凹槽的底部具有通气槽，所述的通气槽连接有真空泵。

2.根据权利要求1所述的半导体外延片真空夹持装置，其特征在于：所述的吸附板的另一侧设置有真空连接嘴，所述的真空连接嘴的一端与该通气槽连通，真空连接嘴的另一端与真空泵连接。

3.根据权利要求2所述的半导体外延片真空夹持装置，其特征在于：所述的真空泵与真空连接嘴之间设置有气压调节阀。

4.根据权利要求1所述的半导体外延片真空夹持装置，其特征在于：所述的吸附板上还设置有定位镶片，该定位镶片位于吸附凹槽的下方。

5.根据权利要求1所述的半导体外延片真空夹持装置，其特征在于：所述的吸附板上还设置有与吸附凹槽底部连通的夹取区。

6.根据权利要求1所述的半导体外延片真空夹持装置，其特征在于：所述的吸附板的底部固定于光学平台上。

7.根据权利要求1所述的半导体外延片真空夹持装置，其特征在于：所述的吸附凹槽为圆形凹槽，圆形凹槽的直径大于等于半导体外延片的外径。

8.根据权利要求2所述的半导体外延片真空夹持装置，其特征在于：所述的通气槽包括多个同心设置的环形通气槽和连接通气槽，所述的多个同心设置的环形通气槽的中心具有圆形通气孔，该圆形通气孔与真空连接嘴连通，所述的连接通气槽连通各个环形通气槽和圆形通气孔。

9.根据权利要求8所述的半导体外延片真空夹持装置，其特征在于：所述的环形通气槽的深度为0.5mm，宽度为1mm，相邻两个环形通气槽的间距为4mm；所述的圆形通气孔的直径为5mm，深度为0.6mm；所述的连接通气槽的长度为36mm，宽度为1mm，深度为0.5mm。