[实用新型]半导体外延片真空夹持装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体外延片真空夹持装置，广泛应用于通信波段为1310nm～1550nm 的分布反馈(DFB)半导体激光器中的光栅制作工艺中。

背景技术

激光全息光刻技术是一种基于相干光干涉效应的无掩模版光刻技术，在该技术中，使用多束激光在晶片表面重迭发生干涉效应从而产生各种由光亮区和暗区构成的干涉图形。图形以重复周期进行排列，图形的最小线宽可以达到波长的几分之一，像场尺寸仅与使用激光束尺寸有关，进而能够加工大面积图形。激光全息光刻技术适合用于Ⅲ-Ⅴ族化合物光电子器件的制备中，采用全息光刻技术可直接形成分布反馈(DFB)半导体激光器的均匀光栅结构。制备2英寸及更大尺寸的半导体外延片时，在全息干涉光栅制作光学系统中需要合适的外延片夹持装置，要求该装置对用于曝光的激光束不产生任何遮挡，同时也要求便于对外延片进行夹取操作，当外延片吸附后需保持稳定，且整个吸附过程中要求压力分布均匀，避免对外延片造成任何物理损伤，因而制备一种满足上述要求的半导体外延片夹持装置成为本领域技术人员急待解决的技术问题。

实用新型内容

针对现有技术中存在的问题，本实用新型要解决的技术问题为提供一种半导体外延片真空夹持装置，通过采用真空吸附的技术实现2英寸及更大尺寸的半导体外延片在全息干涉光栅制作光学系统中的夹持，该外延片真空夹持装置具有结构紧凑简易、抽真空时间短、即抽即用、对外延片无损伤以及吸片稳定的特点。

本实用新型提出一种半导体外延片真空夹持装置，包括吸附板，所述的吸附板的一侧具有向内凹陷的吸附凹槽，所述的吸附凹槽的底部具有通气槽，所述的通气槽连接有真空泵。

进一步地，所述的吸附板的另一侧设置有真空连接嘴，所述的真空连接嘴的一端与该通气槽连通，真空连接嘴的另一端与真空泵连接。

进一步地，所述的真空泵与真空连接嘴之间设置有气压调节阀。

进一步地，所述的吸附板上还设置有定位镶片，该定位镶片位于吸附凹槽的下方。

进一步地，所述的吸附板上还设置有与吸附凹槽底部连通的夹取区。

进一步地，所述的吸附板的底部固定于光学平台上。

进一步地，所述的吸附凹槽为圆形凹槽，圆形凹槽的直径大于等于半导体外延片的外径。

进一步地，所述的通气槽包括多个同心设置的环形通气槽和连接通气槽，所述的多个同心设置的环形通气槽的中心具有圆形通气孔，该圆形通气孔与真空连接嘴连通，所述的连接通气槽连通各个环形通气槽和圆形通气孔。

进一步地，所述的环形通气槽的深度为0.5mm，宽度为1mm，相邻两个环形通气槽的间距为4mm；所述的圆形通气孔的直径为5mm，深度为0.6mm；所述的连接通气槽的长度为36mm，宽度为1mm，深度为0.5mm。

本实用新型具有以下优点：

1．本实用新型提供一种半导体外延片真空夹持装置，采用气压调节阀控制吸附力大小，可以方便实现半导体外延片的置入和取出，操作简便快捷。

2．本实用新型提供一种半导体外延片真空夹持装置，横向连接通气槽和8组环形通气槽以及圆形通气槽连通的设计，导通整个吸附凹槽区域，8组直径较小的环形通气槽，用较小的气槽占用面积扩大了整个真空吸附面积，吸附凹槽内剩余较大面积与半导体外延片相接触，提供对半导体外延片的均匀支撑力，不会在吸附时间内对半导体外延片任何局部造成物理损伤。

3．本实用新型提供一种半导体外延片真空夹持装置，整个夹持装置全部固化，结构简单，操方便作。

4．本实用新型提供一种半导体外延片真空夹持装置，用定位镶片定位半导体外延片相应标识处，保证半导体外延片定位为全息干涉光栅实验所需的定位位置。

附图说明

图1是本实用新型提供一种半导体外延片真空夹持装置的立体示意图之一；

图2是本实用新型提供一种半导体外延片真空夹持装置的立体示意图之二；

图3是本实用新型提供一种半导体外延片真空夹持装置的一真空连接嘴侧结构视图；

图4是本实用新型提供一种半导体外延片真空夹持装置的一吸附凹槽侧结构视图；

图5是本实用新型提供一种半导体外延片真空夹持装置的结构示意图；

图6是本实用新型提供一种半导体外延片真空夹持装置夹持的半导体外延片的结构示意图。

1-吸附板；2-吸附凹槽；3-通气槽；4-真空连接嘴；5-定位镶片；6-定位镶片螺孔；7-夹取区；8-固定板。

具体实施方式